针对电子束蒸发离子辅助沉积的硫化锌薄膜，研究了550 ℃以下真空热处理对其光学与微结构特性的影响。薄膜光学和微结构特性的测试分析表明: 制备后薄膜为类立方结构的ZnS，在337.5 nm波长处出现临界特性转折点，随着热处理温度的增加，转折波长两侧的消光系数变化规律相反，折射率和物理厚度呈现下降趋势，薄膜的禁带宽度逐渐增加; 在红外波段的薄膜折射率与热处理温度的变化并不显著，在350 ℃下热处理时消光系数出现转折，主要是由晶粒变小的趋势所致; 通过晶相分析，硫化锌薄膜经历了类立方结构到六方结构的转换，与禁带宽度的变化趋势基本一致。分析结果表明，光学特性变化的根本原因是薄膜的微结构特性变化。

为使ⅡⅥ族化合物ZnS薄膜具有可弯曲性,选用柔性的聚酰亚胺作为衬底材料,用射频磁控溅射法沉积ZnS薄膜,对所制备薄膜的结晶结构、组分和光学特性进行分析。实验结果表明,所制备薄膜为结晶态的闪锌矿ZnS结构,择优取向为(111)晶面,晶粒尺寸为25.6nm。薄膜组分接近化学计量比,并具有少量的S损失。薄膜在可见光区和近红外光区的平均透射率分别为82.0%和90.5%,透光特性良好。作为对比,在钠钙玻璃衬底上溅射的ZnS薄膜的结晶度高于聚酰亚胺衬底薄膜,但其透射率略低于柔性ZnS薄膜。实验结果表明了用磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜的可行性。

采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基础上，研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500 ℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明，退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大，但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰，而500 ℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致.

用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计 分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明，ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿[EQUATION]-ZnS(111)晶向择优取向生长；经过300℃真 空退火30min后，ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大，表面变得粗糙，在可见光区的平均透射率达到80%以上，适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红 外窗口和头罩等。在退火后的ZnS/PS复合膜体系的光致发光谱(PL)中，除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端PS的红光发射外，在光谱中间550nm附近 出现了一个新的绿光发射，这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与PS的红光叠 加在一起后，ZnS/PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射，这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜,并在室温下研究了ZnS/PS异质结的结构、光学和电学性质。X射线衍射仪(XRD)测量结果表明,制备的ZnS薄膜在28.5°附近有一较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向高度择优取向生长。ZnS/PS复合体系的光致发光谱表明,ZnS的发光与PS的发光叠加在一起,在可见光区形成一个450~700 nm较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射。对ZnS/PS异质结I-V特性曲线的测量结果表明,异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性。在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于零。异质结的理想因子的值为77。

综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望了ZnS薄膜的应用前景.