1 郑州航空工业管理学院 数理系, 河南 郑州450015
2 郑州大学 材料物理教育部重点实验室， 河南 郑州450052
利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在经处理的单晶硅衬底上沉积了纳米非晶碳薄膜。通过Raman、SEM、XRD表征,研究了催化剂对纳米非晶碳膜的生长速率及场发射性能的影响。结果表明,在制备纳米非晶碳膜时使用FeCl3作为催化剂可大幅提高其生长速率。在相同的制备条件下，与未加FeCl3催化剂制备的纳米非晶碳膜的场发射性能相比，加催化剂制备的碳膜开启电场降至0.5 V·μm-1；在1.8 V·μm-1的电场下，电流密度可以达到2.6 mA·cm-2，而且发射点密度较大、分布均匀。
纳米非晶碳膜 催化剂 场发射 nano-amorphous carbon films catalyst field emission
1 河南财经学院计算机与信息工程学院，河南郑州 450002
2 河南商业高等专科学校基础部。河南郑州 450044
3 郑州大学材料物理教育部重点实验室。河南郑州 450052
文章对石墨、金刚石、非晶碳及碳纳米管等常用场发射冷阴极材料的结构、在场发射方面的应用和发展进行了介绍和分析．认为碳纳米管是场发射冷阴极的首选材料。并结合其原理和性能对电孤放电法、脉冲激光熔蒸法、化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法等场发射阴极制备方法进行了探讨．认为等离子增强化学气相沉积法因可以实现低温原位生长而具有较好的发展趋势。
场致电子发射 阴极材料：制备方法 field emission cathode material synthesized technology
郑州大学 物理工程学院材料物理教育部重点实验室, 河南 郑州450052
在低温常压条件下,以ITO玻璃为衬底,采用电化学法与湿化学法结合的两步化学沉积法制备了团簇状ZnO薄膜。利用XRD,SEM分析了薄膜结构和表面形貌,并采用二极管结构在高真空条件下对薄膜进行了场发射性能测试。稳定发射后,开启电场为3.0 V/μm。当电场为5.8 V/μm时,电流密度为583.3 μA/cm2。研究表明：两步化学沉积法低温制备ZnO薄膜是可行的,且该薄膜具有良好的场发射性能。
ZnO薄膜 两步化学法 场发射 ZnO film two-step chemical deposition method field emission
郑州大学,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望了ZnS薄膜的应用前景.
脉冲激光沉积 ZnS薄膜 等离子体 纳米材料
郑州大学材料物理教育部重点实验室, 郑州450052
介绍了各平板显示器件,包括发光二极管显示(LED)、液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)及场发射显示(FED)的驱动电路。
平板显示 驱动电路 发光二极管显示 液晶显示 等离子体显示 场发射显示 激光与光电子学进展
2004, 41(12): 48
1 材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
2 郑州大学化学系,郑州,450052
有机电致发光器件的Fabry-Perot光学微腔效应导致在一定波长处的发射峰强度增加、宽度压窄,因而在有机彩色显示中受到人们的重视.阐述了有机电致发光的Fabry-Perot光学微腔的发展、微腔结构和微腔效应的各种表现和理论表征.
有机发光二极管 Fabry-Perot光学微腔 光学长度 自发辐射寿命 organic light emitting diode Fabry-Perot optical microcavity optical length spontaneous emission lifetime
1 郑州大学工程力学系, 河南 郑州 450052
2 中国科学院安徽光学精密机械研究所, 安徽 合肥 230031
3 郑州大学物理工程学院, 河南 郑州 450052
报道了一种碳氮薄膜材料的拉曼光谱,该光谱明显具有两个特征拉曼峰,和已有的碳基薄膜及碳氢薄膜相区别,其峰值位置分别位于1400cm~(-1)及1370cm~(-1)。根据X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)对该薄膜的形貌观察,初步认定该薄膜是由纳米级含氮弯曲层状石墨结构组成。拉曼峰1400cm~(-1)对应与弯曲面内C-C振动,拉曼峰1370cm cm~(-1)对应于长程无序而形成的D-线。该碳氮薄膜样品是采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)制备而成。
光谱学 拉曼光谱 碳氮薄膜 碳基薄膜 化学气相沉积
1 郑州大学工学院, 河南 郑州 450052
2 郑州大学物理工程学院, 河南 郑州 450052
以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为阴极对其进行了场致电子发射特性测试。当阴阳极之间产生放电即发生电形成过程之后,该薄膜的阈值电场从最初的16.9V/μm降到10.8V/μm。当电场为20V/μm时,薄膜场发射的电流密度达到了0.4mA/cm2,发射点密度达到10~3/cm2利用XPS,Raman光谱及扫描电子显微镜对该薄膜的微结构进行了测试分析。
薄膜物理学 类石墨薄膜 脉冲激光沉积 场致电子发射
1 郑州大学,工程力学系,河南,郑州,450052
2 中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽,合肥,230031
3 郑州大学,物理工程学院,河南,郑州,450052
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及Raman光谱分析了该薄膜的结构,并研究了薄膜场致电子发射特性,阈值电场为4.6 V/μm,当电场为9 V/μm时,电流密度为50 μA/cm2.
氮化硼薄膜 脉冲激光沉积 场致电子发射
1 郑州工业大学数理系 郑州 450002
2 郑州大学物理工程学院 郑州 450052
3 中国科学院安徽光机所 合肥 230031
利用KrF准分子激光器及聚酰亚胺靶在硅衬底上沉积出了类石墨薄膜。借助于X射线光电子谱及Raman光谱手段对薄膜微结构进行了分析。并用该薄膜作阴极，研究了其场发射特性。实验结果显示出该薄膜具有较好的场电子发射性能，发射点密度高达1×105/cm2以上。有可能作为一种新型的冷阴极电子源。
类石墨薄膜 脉冲激光沉积 场电子发射
