在平板显示玻璃制造中,通常采用铂金作为玻璃液流道。由于铂金通道需要长期在1 400 ℃以上高温工作,会导致其氧化,从而造成铂金损失;此外,玻璃液中水分解产生的H+透过铂金通道壁释放到外部,富集在玻璃液中的O2-会形成一定量的气泡。为保护铂金通道,提高玻璃质量,通过等离子喷涂方法在铂金通道表面喷涂ZrO2-Y2O3涂层。该涂层与铂金通道的结合强度达到50 MPa以上,可减少铂金通道使用温度下氧化损失率约75%。同时,这种涂层与铂金通道包覆耐火材料有良好的高温适应性。

激光退火技术,以较低的热预算, 可以在瞬间达到较高的退火温度, 工艺过程高度可控, 制程可重复性好, 已经广泛应用于半导体工业界。本文将简要介绍激光退火技术早期的机理研究, 以及在硅基太阳能电池, 平板显示, 集成电路, 和微纳米制造等领域的应用。

平板显示因具有体积小、重量轻、功耗低、画质好等优点, 已被广泛应用于电子仪表显示、车载显示、数码相机、智能手机、个人电脑、电视产品等领域之中。本文介绍了薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)、有机发光二极管Organic Light Emitting Diode(OLED)显示、量子点发光二极管Quantum Dot Light Emitting Diode(QLED)显示及微发光二极管(Micro-LED)显示这几种平板显示技术的结构及原理。从结构、材料、性能、应用几方面对这几种平板显示技术进行了比较。最后给出了这几种平板显示技术的最新研究进展。LCD显示经过多年发展, 技术成熟, 成本低廉, 仍然在显示市场占据主流地位。OLED显示技术摆脱了传统LCD的背光源, 开创了自发光显示的未来发展方向。在相当一段时期内, LCD和OLED仍将会共存于市场中, 相互竞争和补充。QLED显示和Micro-LED显示这两种显示技术, 在理论上较OLED显示具有更好的颜色表现、更长的工作寿命等优势, 具有非常广阔的发展前景, 将为未来显示行业提供更多更好的选择。

针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明, 单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大, 而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补, 我们设计了双层Mo(20 nm)/Cu(80 nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZO TFT。器件具有良好的电学特性, 场效应迁移率为 8.33 cm2·V-1·s-1, 阈值电压为6.0 V, 亚阈值摆幅为2.0 V/dec ,开关比为 1.3×107, 证明了双层Mo/Cu源漏电极的可行性和实用性。

通过比较平板显示器硬对硬贴合中的胶材、设备和工艺差别, 分析FPD硬对硬贴合中生产设备投入、贴合工艺特点、贴合气泡缺陷成因, 说明了水胶贴合的优势, 展望了未来贴合技术的发展趋势, 指出了灌胶贴合的发展潜力, 并强调了材料及洁净环境管控和工装夹具开发对提高生产效能的重要性。

闪耀点（Sparkle）是影响防眩屏幕显示效果的重要因素之一, 为满足人们对显示屏分辨率日益提高的要求, 闪耀点越来越受到关注。但目前对闪耀点的确切定义, 产生原因, 表征手段及评价指标等尚无统一的认识和标准。本文从闪耀点现象入手, 介绍了目前闪耀点主要的研究表征方法, 例如Gollier和Becker各自提出了表征闪耀点的评价测试体系并给出了一系列相关参数; Evans等人在Gollier和Becker工作的基础上进行了一系列心理物理学实验来评价闪耀点现象的实际效果等等。本文就闪耀点的研究现状进行了详尽的综述, 为后续屏幕闪耀点研究, 建立统一的评价方法与标准提供了宝贵的参考资料。

研制了一款基于蓝光激光二极管的平板显示背光模组，该模组主要包括导光模块以及导光板两部分。研究过程中采用导光模块与导光板分开设计优化的方案，设计了传播过程中横向各部分规则分布、纵向各部分一致分布的一款导光模块以及出光分布均匀的导光板网点，并采用激光打点方式制作出导光板样品。理论模拟得到整个模组的照度均匀度可以达到89.02%，边角平均值可以达到102.74%。实验测量得到照度均匀度可达到79.61%，边角平均值可达到100.10%。该背光模组结构简单，可以为液晶显示提供背光照明。

介绍了多晶硅薄膜较非晶硅薄膜在平板显示领域的优势以及准分子激光晶化制备多晶硅膜的结晶过程。介绍了透镜阵列实现匀光的原理。阐述了典型的准分子激光退火线型光束整形系统的扩束、匀光、投影等结构。并介绍了连续横向固化技术在准分子激光制备低温多晶硅领域的应用。讨论了准分子激光退火光学系统的发展现状，指出了其在平板显示行业的重要意义。

为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求，研究并开发用于非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极，设计并制作了底栅结构的 a-IGZO TFT器件。实验发现，具有单层银源漏电极的器件电学特性较差，这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面，通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性，场效应迁移率为 1.73 cm2/V·s，亚阈值摆幅 2.8 V/(°)，开关比为2×107，由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。

针对以发光二极管为背光源的平板显示对人体生理节律等非视觉的影响，采用节律因子评价模型设计了实验系统.通过全空间平均辐射法，采用国际电工委员会标准中平均图像电平的节目画面，测量显示不同图像时以发光二极管为背光源的平板显示器光辐射的节律因子.结果发现: 以发光二极管为背光源的平板显示器在显示白场和大部分彩色图像时的节律因子为5.0以上，其非视觉效应比普通照明要强得多，且与显示的图像内容密切相关;该平板显示器的光学辐射对人体生理节律等非视觉具有不可忽视的影响.