采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe2, CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液，旋涂法制膜，后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试结果表明薄膜结晶性良好，具黄铜矿结构；SEM测试结果显示薄膜由较大晶粒组成，表面相对平整致密；EDX测试显示薄膜组分相对合理，略贫Cu而富Se.采用此薄膜为吸收层制备CIS原型薄膜太阳能电池，其光电测试显示单层CIS光伏响应达到1.6%.

采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜，其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现，硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM，EDS，XRD，Raman和透射光谱分析表明，当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时，沉积的薄膜形貌平整，晶粒明显，组分贫锌，具有单一的铜锌锡硫硒结构，且其带隙为1.11 eV; 在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡; 在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3.

采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电化学沉积制得.通过对薄膜的XRD、SEM及EDS的表征，发现当In3+ 和S2O32-浓度不变时，Cu2+浓度的改变对薄膜的性质有很大的影响.在最优的Cu2+浓度下，制备出了单一的、具有理想化学计量比的、禁带宽度为1.5eV的CuInS2薄膜.这种薄膜在后续工作中有望被用作太阳能电池的吸收层.

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500 ℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明，退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大，但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰，而500 ℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致.

Cd1-xZnxTe是直接带隙半导体材料，其禁带宽度随x值的变化在1.45eV ? 2.26eV 间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层，可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电 场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化，而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗，增强光生载流子的收集效率，进而提 高电池的光电转换效率。用渐变带隙Cd1-xZnxTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe 光吸收层，并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池的光电响应特性。经计算，该电池在理想 情况下(无界面态、有背面场，正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%。

对PVD沉积Pb_1-xGe_xTe薄膜研究发现Pb_1-xGe_xTe是一种高性能的红外材料,在3～25μm光谱范围具有较好的透光性能,室温下的折射率为4.8～5.6.薄膜的光学性质,包括透射率、色散关系以及折射率的温度系数dn/dT,与材料中组分x、环境温度和薄膜的沉积工艺条件有密切关系.适当地改变组分和工艺条件,可以使薄膜的折射率温度系数dn/dT从负变到零并转为正,这对于制备高温度稳定性的红外光学薄膜器件具有重要的意义.