为了研究氧化锌纳米棒的生长机理，先用脉冲激光沉积方法在玻璃衬底上制备一层氧化锌薄膜作为种子层，然后用水热法在种子层上生长氧化锌纳米棒，研究了不同反应时间对其结构、形貌及发光特性的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜测定样品的结构和形貌，用自组建的光致发光系统对样品的光致发光光谱进行了测量。结果表明，氧化锌纳米棒沿c轴高度取向并呈六角纤锌矿结构；随着生长时间的增加，氧化锌纳米棒结晶质量明显改善，纳米棒均匀、致密性和取向性均提高，样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。

以电化学阳极氧化法制备的多孔硅（PS）为衬底，用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜，得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光（PL）特性进行了研究。XRD结果表明，制备的ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿β-ZnS（111）晶向择优取向生长，生长温度较高的样品的XRD衍射峰强度较大。SEM图像显示，生长温度较高的ZnS薄膜表面较致密平整。室温下的PL谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰发生蓝移。较高的生长温度下，ZnS的自激活发光强度较大，而PS的红光强度较低且峰位红移。根据三基色叠加的原理，ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加在一起，ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射，为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜， 用Cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明：样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；当Cu和 ZnO直接接触时，样品的I-V特性是非线性的；当Cu和 ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。

为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响，采用脉冲激光沉积技术，在P-Si〈111〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析，并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明，所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰，没有发现Cu的衍射峰，在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下，样品有较好的c轴择优取向；室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带，该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷，属于深能级发射机制，并且随着氧压的升高，其发光强度增强。

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅( poroussilicon，PS)衬底上用脉冲激光沉积法( pulsedlaserdeposition，PLD)在 250℃和 350℃下生长 ZnS薄膜。 XRD图样显示，制备的 ZnS薄膜沿 β-ZnS(111)方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。 SEM结果表明， 250℃生长的 ZnS薄膜表面疏松、不平整，这是由于衬底 PS的粗糙结构所致，而 350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的光致发光( PL)谱表明， 350℃样品中 ZnS的自激活发光强度高于 250℃样品，而 PS的红光强度低于250℃样品且峰位红移。把 ZnS的蓝绿光与 PS的红光叠加，在可见光区450~700nm形成了一个较宽的光致发光谱带， ZnS/PS复合体系呈现较强的白光发射。

为了研究Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质，采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si(111)衬底上制备了Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜，其中, Eu3+作为发光中心，而Li+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示，Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向，X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰；Eu3+，Li+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似，但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象，峰值位于382nm处，且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时，在光致发光光谱中观察到了稀土Eu3+在594nm，613nm附近的特征发光峰。结果表明，掺杂元素Eu3+，Li+均已进入到ZnO晶格中，形成了以Eu3+为发光中心的ZnO纤锌矿结构。

在不同氨分压比(0~30%)下，用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带，并对每个发光带进行了讨论.

为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响, 采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质。结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构, 沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长。随着衬底PS孔隙的增多, ZnS薄膜衍射峰的强度减小, 且薄膜表面出现一些空洞和裂缝; 在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中, PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移, 随着PS孔隙的增多, 该蓝移量增大, 而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射, 归因于ZnS的缺陷中心发光。ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加, 整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射。ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性, 在正向偏置下, 电流密度较大, 电压降较低; 在反向偏置下, 电流密度接近于0。随着衬底PS孔隙的增多, 正向电流增大。该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础。

为了制备结晶质量好的Cu掺杂ZnO薄膜，研究其结构和光学性质，采用脉冲激光沉积方法，在Si衬底上选择不同的衬底温度来制备薄膜。实验成功制得了结晶质量较好的Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了测量和分析。所制备的样品均表现出高度的c轴择优取向，衬底温度为300℃时，薄膜表面形貌均匀致密；在样品的光致发光谱中，发现样品除了在380nm附近出现紫外发光峰外，在460nm附近出现了蓝光发光峰，真正意义上实现了ZnO薄膜的蓝光发射。结果表明，衬底温度对其晶体质量有较大影响。

用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计 分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明，ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿[EQUATION]-ZnS(111)晶向择优取向生长；经过300℃真 空退火30min后，ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大，表面变得粗糙，在可见光区的平均透射率达到80%以上，适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红 外窗口和头罩等。在退火后的ZnS/PS复合膜体系的光致发光谱(PL)中，除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端PS的红光发射外，在光谱中间550nm附近 出现了一个新的绿光发射，这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与PS的红光叠 加在一起后，ZnS/PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射，这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。