采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO∶Y)纳米棒，采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO∶Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO∶Y/CuInS2光阳极。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、电子探针能谱仪（EDS）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）、电流密度-电压（J-V）曲线等技术手段对不同光阳极样品的晶相结构、微观形貌、化学组成、光吸收性能和太阳电池性能进行了表征。实验结果表明：所制备的ZnO纳米棒和ZnO∶Y纳米棒为六方纤锌矿结构。CuInS2量子点敏化的ZnO纳米棒薄膜的光学带隙从3.22 eV减小为2.98 eV。CuInS2量子点敏化ZnO∶Y太阳能电池的短路电流密度和光电转换效率比未掺杂的ZnO纳米棒组装的太阳能电池分别提高了6.5%和50.4%。

利用水热法制备了菊花状的氧化锌纳米棒, 并进行表征, 将纳米氧化锌掺入纳米金刚石中配制成电泳液, 超声分散后电泳沉积到钛衬底上, 再经热处理后进行场发射特性的测试.结果表明：未掺混的金刚石阴极样品的开启电场为7.3 V/μm, 在20 V/μm的电场下, 场发射电流密度为81 μA/cm2;掺混后阴极样品的场发射开启电场降低到4.7~6.0 V/μm, 在20 V/μm电场下, 场发射电流密度提高到140~158 μA/cm2.原因是纳米ZnO掺入后, 增强了涂层的电子输运能力、增加了有效发射体数目, 提高了场增强因子β, 而金刚石保证了热处理后涂层与衬底的良好键合, 形成了欧姆接触, 降低了场发射电流的热效应.场发射电流的稳定性随掺混ZnO量的增加而下降, 要兼顾场发射电流密度及其稳定性, 适量掺入ZnO可有效提高纳米金刚石的场发射性能.

用含有硝酸锌(Zn(NO3)2)和六次甲基四胺(HMTA, C6H12N4)的电解液, 在低温环境下采用阴极电沉积法在ITO玻璃上成功合成了氧化锌(ZnO)纳米棒阵列。系统研究了电压、前驱物(Zn2+)浓度、温度和种子层等参数对ZnO纳米棒形貌结构的影响, 实现了ZnO纳米棒的可控制备。结果表明, 在有种子层的情况下, 当电压为-0.9V、Zn2+浓度为0.01M、温度为75℃条件下生长的ZnO纳米棒c-轴择优取向好、尺寸均匀(80~100nm), 且在380~750nm的可见光波长范围内的透射率达到80%。

为了研究氧化锌纳米棒的生长机理，先用脉冲激光沉积方法在玻璃衬底上制备一层氧化锌薄膜作为种子层，然后用水热法在种子层上生长氧化锌纳米棒，研究了不同反应时间对其结构、形貌及发光特性的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜测定样品的结构和形貌，用自组建的光致发光系统对样品的光致发光光谱进行了测量。结果表明，氧化锌纳米棒沿c轴高度取向并呈六角纤锌矿结构；随着生长时间的增加，氧化锌纳米棒结晶质量明显改善，纳米棒均匀、致密性和取向性均提高，样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。

利用气相输运方法，在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较，我们在相同的生长条件下制备了没有任何掺杂的ZnO纳米棒(样品B)。XRD分析测试表明:样品A和样品B中的ZnO纳米棒具有纤锌矿六边形结构，没有其他氧化物，例如Li2O。Hall效应测量表明:样品A导电类型为p型,空穴载流子浓度为6.72×1016 cm-3，空穴载流子迁移率为2.46 cm2·V-1·s-1。样品B为n型，电子载流子浓度为7.16×1018 cm-3，电子载流子迁移率为4.73 cm2·V-1·s-1。低温光致发光光谱测试表明，样品A和样品B发光峰明显的区别是位于3.351 eV(样品B)和 3.364 eV(样品A)处。根据文献报道，在没有掺杂的ZnO中，3.364 eV发光峰源于施主束缚激子发光。通过变温光致发光光谱的测试，证明了在样品A中，位于3.351 eV的发光峰源于受主束缚激子发光，其光学受主能级位于价带顶142 meV处。