华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室，广东 广州 510641
共掺Rb+、Zn2+得到了（Cs0.8Rb0.2）（Pb0.93Zn0.07）（Br1.8Cl1.2）蓝光钙钛矿量子点。相比未掺杂的CsPb（Br1.8Cl1.2）量子点，Rb+、Zn2+与卤素离子（Br-、Cl-）形成更加稳定的钙钛矿八面体晶型，抑制了Cl-空位缺陷的形成，提高了量子点的稳定性。掺杂后的量子点溶液光致发光效率从未掺杂的5%显著提高到52%，同时辐射复合也得到了显著增强。Rb+、Zn2+共掺使量子点的HOMO能级上移0.31 eV，降低了从空穴传输层（HTL）到发光层（EML）的注入势垒，有利于空穴注入。基于Rb+、Zn2+共掺的蓝光钙钛矿量子点，设计了结构为ITO/PEDOT∶PSS/TFB/Pe-QDs/TPBi/LiF/Al的发光二极管器件，得到发光峰位于470 nm、半峰宽为19 nm的蓝光发射，最大外量子效率（EQEmax）达到3.55%。
钙钛矿量子点 蓝光发射 Rb+、Zn2+掺杂 晶格适配 perovskite quantum dots blue emission Rb+，Zn2+ doping lattice adaptation
中国地质大学(武汉)材料与化学学院 教育部纳米矿物材料及应用工程研究中心, 湖北 武汉 430074
采用高温固相法合成了系列K4CaGe3O9∶xBi3+ (0.003≤x≤0.10)荧光粉材料。通过精细Rietveld结构精修、光致激发和发射光谱、X射线光电子衍射及热稳定性等手段对晶体结构和发光性能进行了研究。实验结果表明, 在紫外光激发下, Bi3+展现了半高宽低至43 nm的窄带蓝光发射。这是由于K4CaGe3O9基质拥有高对称性的晶体结构。与此同时, 制备的K4CaGe3O9∶xBi3+ (0.003≤x≤0.10)荧光粉材料展现了卓越的发光热稳定性, 在423 K时, 发光强度可以保持在室温状态下的83%。上述研究证明制备的K4CaGe3O9∶xBi3+ (0.003≤x≤0.10)荧光粉材料在白光发光二极管(LED)或背光显示中有潜在的应用前景。在高对称性晶体结构中掺杂Bi3+实现窄带发光的研究思路可以为未来窄带荧光粉的研发提供理论研究基础和科学依据。
Bi3+掺杂 高对称晶体结构 窄带发光 蓝光发射 Bi3+ doping highly symmetric crystal structure narrow emission blue light
1 华北电力大学 新能源电力系统国家重点实验室, 北京 102206
2 北京化工大学 北京软物质科学与工程高精尖创新中心, 北京 100029
金属卤化物钙钛矿材料凭借其低成本、高色彩饱和度、高荧光量子产率、可调的发光波长和溶液加工等特点, 在下一代平板显示和固体照明领域极具应用前景。得益于对钙钛矿材料的设计、器件结构的优化和发光机理的深刻认识, 自2014年首次观察到室温下的钙钛矿电致发光现象以来, 绿光、红光和近红外钙钛矿电致发光二极管（PeLED)的外量子效率（EQE)目前已迅速突破了20%。然而, 作为三基色之一的蓝光PeLED发展较为缓慢, 这严重制约了全彩色PeLED的发展。最近一年来, 蓝光PeLED的效率增长显著, EQE已经超过10%。本文总结了蓝光钙钛矿材料的制备和器件结构的优化, 并对未来蓝光PeLED发展方向和所面临的问题进行了讨论, 以期促进蓝光PeLED的发展。
蓝光发射 钙钛矿 发光二极管 材料制备 器件优化 blue emission perovskite light-emitting diodes material preparation device optimization
东北师范大学 物理学院, 吉林 长春 130024
采用碳包埋方法制备了不同Eu2+掺杂浓度的七铝酸十二钙(C12A7∶x%Eu2+)导电荧光粉。在254 nm的紫外光激发下, 样品呈现出位于444 nm的蓝光宽带发射峰, 其来源于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。当Eu2+的掺杂浓度为1.0%时, 蓝光发射强度最大。通过漫反射吸收光谱结合经验公式可计算C12A7∶1.0%Eu2+粉末样品的困陷于笼中的电子浓度为3.40×1019 cm-3。在空气气氛下对C12A7∶1.0%Eu2+样品进行热处理, 通过减少困陷于笼中的电子浓度, 即增加困陷于笼中的O2-离子浓度, 可进一步提高样品的发光强度。阴极射线发光实验结果表明：铕掺杂七铝酸十二钙蓝光发射导电荧光粉在低压场发射显示器件中有潜在的应用前景。
稀土离子 蓝光发射 导电荧光粉 场发射显示 rare earth ion blue emitting conductive phosphor FEDs
1 中国科学院半导体研究所 集成光电联合国家重点实验室, 北京 100083
2 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004
3 天津工业大学 天津市光电检测技术与系统重点实验室, 天津 300387
通过结合静电纺丝和氨化技术方法合成了Eu2+掺杂的GaN(GaN:Eu2+)纳米纤维.SEM和TEM图像显示纳米纤维由尺寸均匀分布的GaN纳米颗粒组成.XRD测试结果表明, GaN:Eu2+样品主要为六方相GaN(h-GaN), 其平均粒径为7.3 nm.进一步的拉曼测试结果显示出现了两个额外的GaN拉曼位移, 波数分别位于252和422 cm-1.室温光致发光谱表明GaN基质中的Eu2+在407 nm处产生了强烈的特征蓝色发光峰.
GaN:Eu2+ 纳米纤维 蓝光发射 静电纺丝 氨化技术 GaN: Eu2+ nanofibers blue emission electrospinning ammonification
1 中国计量学院 材料科学与工程学院,浙江 杭州310018
2 浙江电子科技大学 材料与环境工程学院,浙江 杭州310018
通过高温固相法成功合成了一种新型蓝光荧光粉BaKBP2O8∶Eu2+,分别用XRD和荧光光谱表征了其结构与光学性能。结果表明,Eu2+的引入并没有显著改变其四方相的晶体结构。样品的激发光谱(监测波长为443 nm)是由主晶格吸收的307 nm吸收肩与Eu2+离子4f7-4f65d 跃迁的346 nm主峰组成。在紫光激发下,样品的发射光谱为蓝色。当Eu2+离子摩尔分数为0.03时,样品的发射强度达到最大值。然而,随着Eu2+浓度的进一步增加,由于浓度猝灭机制,其发射强度开始降低。在超过370 K的温度下,荧光粉样品的相对发光强度仍然超过50%。BaKBP2O8∶Eu2+的色坐标为(0.176 6,0.168 1)。
荧光粉 蓝光发射 phosphors BaKBP2O8∶Eu2+ BaKBP2O8∶Eu2+ blue-emitting
1 包头稀土研究院, 内蒙古 包头014010
2 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室, 安徽 合肥230029
通过高温固相反应合成YVO4∶xTm(x=0.001,0.003,0.005,0.007,0.01,0.03,0.05)蓝色系列粉末状发光材料。经X射线衍射分析产物为单相, 属四方锆英石结构, 其结果与JCPDS标准卡(72-0861)相符。检测了材料的真空紫外激发光谱和发射光谱。YVO4∶xTm的真空紫外激发光谱在120~350 nm范围内为连续的带状峰, 在155 nm和333 nm附近有明显的峰值。在155 nm激发下, YVO4∶xTm的发射光谱由两部分组成, 其中主发射峰在474 nm附近呈一尖锐的线状, 来自Tm3+的1G4→3H6跃迁; 在650 nm左右有一弱发射峰, 来自Tm3+的1G4→3H4跃迁。另外, 还有一较弱的带状发射, 中心位于540 nm左右, 来自样品的VO3-4离子的宽带发射。随着Tm3+摩尔分数x由0.001增加到0.005, Tm3+发射光谱强度逐渐增加到最大值。之后随着x继续增加, 发射光谱强度逐渐下降, 呈现明显的浓度猝灭现象。通过对YVO4∶xTm的光谱分析及其发光机理进行推导, 认为YVO4∶Tm3+在紫外及真空紫外激发下, 是一种具有较高发光效率以及色纯度较好的蓝色发光材料。
蓝光发射 真空紫外 blue emitting YVO4∶Tm3+ YVO4∶Tm3+ vacuum ultraviolet
1 浙江农林大学 理学院, 浙江 临安311300
2 浙江省林业生物质化学利用重点实验室, 浙江 临安311300
合成了一系列蓝光锆(Ⅳ)配合物［Zr(NN)(DBM)3］Cl(DBM=二苯甲酰基甲烷, NN=1,10-邻菲罗啉 1; 2, 9-二甲基-1,10-邻菲罗啉 2; 4,4′-二甲基-2,2′-联吡啶 3; 1-乙基-2-(1-萘基)-1H-咪唑-4,5-f-1,10-邻菲罗啉 4), 以波长为355 nm的紫外光激发, 4个配合物的最大发射峰均位于445 nm左右, 半峰宽只有36～45 nm。在相同的测试条件下, 配合物1的蓝光发射强度最大, 量子效率最高, 其原因是结构刚性强, 能够有效地减少非辐射跃迁造成的能量损失。而且, 配合物1～3的热稳定性很好, 分解温度均在200 ℃以上, 可以用于制作有机发光器件, 不会在器件的制作过程中发生分解。
锆(Ⅳ)配合物 蓝光发射 热稳定 Zr(Ⅳ) complex blue-emission thermal stability
1 曲阜师范大学 物理工程学院， 曲阜 273165
2 鲁东大学， 烟台 264025
为了制备结晶质量好的Cu掺杂ZnO薄膜，研究其结构和光学性质，采用脉冲激光沉积方法，在Si衬底上选择不同的衬底温度来制备薄膜。实验成功制得了结晶质量较好的Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了测量和分析。所制备的样品均表现出高度的c轴择优取向，衬底温度为300℃时，薄膜表面形貌均匀致密；在样品的光致发光谱中，发现样品除了在380nm附近出现紫外发光峰外，在460nm附近出现了蓝光发光峰，真正意义上实现了ZnO薄膜的蓝光发射。结果表明，衬底温度对其晶体质量有较大影响。
薄膜 Cu掺杂ZnO 脉冲激光沉积 蓝光发射 thin film Cu-doped ZnO pulsed laser deposition blue light-emitting
1 哈尔滨学院物理系, 黑龙江 哈尔滨 150086
2 中国科学院理化技术研究所, 北京 100190
利用射频磁控溅射方法, 在石英表面上制备了具有良好的c轴取向的纳米ZnO薄膜。 室温下, 在300 nm激发下, 在450 nm附近观测到ZnO薄膜的蓝光发射谱(430～460 nm)。分析了气氛中氧气与氩气比对薄膜质量及蓝光发射光谱的影响, 给出了纳米ZnO薄膜光致发光谱(PL)的积分强度和峰值强度与氧氩比关系。 探讨了纳米ZnO薄膜的蓝光光谱的发射机制,初步证实了ZnO蓝光发射(2.88～2.69 eV)来自氧空位(VO)形成的浅施主能级上的电子至价带顶的跃迁。Nanocrystalline ZnO Films
纳米ZnO薄膜 蓝光发射 射频磁控溅射法 Nanocrystalline ZnO film Blue emission RFMS
