1 中国科学院半导体研究所 集成光电联合国家重点实验室, 北京 100083
2 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004
3 天津工业大学 天津市光电检测技术与系统重点实验室, 天津 300387
通过结合静电纺丝和氨化技术方法合成了Eu2+掺杂的GaN(GaN:Eu2+)纳米纤维.SEM和TEM图像显示纳米纤维由尺寸均匀分布的GaN纳米颗粒组成.XRD测试结果表明, GaN:Eu2+样品主要为六方相GaN(h-GaN), 其平均粒径为7.3 nm.进一步的拉曼测试结果显示出现了两个额外的GaN拉曼位移, 波数分别位于252和422 cm-1.室温光致发光谱表明GaN基质中的Eu2+在407 nm处产生了强烈的特征蓝色发光峰.
GaN:Eu2+ 纳米纤维 蓝光发射 静电纺丝 氨化技术 GaN: Eu2+ nanofibers blue emission electrospinning ammonification
吴清清 1,2,3,*闫建昌 1,2,3张亮 1,2,3陈翔 1,2,3[ ... ]李晋闽 1,2,3
1 中国科学院半导体研究所 照明研发中心, 北京 10083
2 中国科学院大学, 北京 10049
3 北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心, 北京 10083
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验中, 对hBN材料进行人为表面化学修饰, 以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时生长的AlN薄膜质量, 证实了hBN有助于减少AlN外延层中的裂纹, 空气孔隙及应力。研究了V/III生长参数对AlN薄膜表面形貌、晶体质量和应力的影响, 得到合适的生长窗口, 获得完全无应力的氮化铝外延层, 且其位错密度与蓝宝石上生长的氮化铝相当.
AlN薄膜 六方氮化硼 缺陷 应力 AlN films Hexagonal BN MOCVD MOCVD Defect Stress 光子学报
2017, 46(11): 1116001
