本研究以Ir配合物FIrPic作为Eu离子的配体，合成了一种新的Eu-Ir双金属配合物Eu(FIrPic)₂(Phen)UA，并通过自由基聚合成功制备了红色发光荧光共聚物PM-Eu-Ir，适用于商用近紫外芯片型LED。在不影响 Eu³⁺ 离子的荧光发射特性的前提下，加入 Ir-配合物可以有效地敏化 Eu³⁺ 离子，增强其对 400 nm紫外光的吸收。在 365 nm 紫外光激发下，共聚物 PM-Eu-Ir 在 612 nm 处显示出最强的发射峰，其 CIE 坐标为（0.461，0.254），这与 365 nm 近紫外芯片非常吻合。红色共聚荧光粉 PM-Eu-Ir 的微观形貌为典型的多层空间网络结构，除了表现出明显的红光发射和 634.54 μs 的荧光寿命外，还在 25～250 °C 的宽温范围内具有优异的热稳定性。使用共聚物 PM-Eu-Ir 制作的 LED 发出的红光亮度为 149800 cd/m²。研究结果表明，所制备的共聚荧光粉可作为红光元件用于制造近紫外芯片白光 LED。

采用高温固相法制备了颜色可调的Sr₆Lu_2-2xAl₄O₁₅∶xTb³⁺荧光粉，并研究了其晶体结构、发光特性和浓度猝灭机理。研究了Tb³⁺浓度对样品发光性质的影响。在紫外光激发下，当x=0.01时，Tb³⁺的⁵D₃?⁷F₆跃迁强度最强，峰值位于381 nm；当x=0.15时，Tb³⁺的⁵D₄?⁷F₅跃迁强度最强，峰值位于545 nm。随着Tb³⁺掺杂浓度的升高，样品的发光颜色从蓝光变为黄绿光。分析了Sr₆Lu_2-2xAl₄O₁₅∶xTb³⁺荧光粉的浓度猝灭机理。测量了荧光粉的荧光寿命、热稳定性、量子效率。结果表明，Sr₆Lu_2-2xAl₄O₁₅∶xTb³⁺是一种新型的发光颜色可调的荧光粉。

伴随大功率LED和激光照明技术的快速进步，相关的材料学研究也越来越多地涉及到封装技术、光学设计、模块化、光热一体化等内容。在此背景下，研究者在专注于优化荧光材料性能的基础上，需要越来越多地涉及基于光度学参数的材料设计。因此，系统掌握相关光度学参数的定义和表征原理，可对新型荧光材料的设计和开发起到促进作用。本文旨在向荧光材料领域简明扼要地介绍包括“光强”、“光出射度”、“光亮度”、“光照度”等参数在内的光度学基础知识，并结合实际的研究案例，阐述上述参数的测试方法和原理。最后展望以各光度学参数为导向的研究策略，为相关荧光材料的研究提供思路。

实现高发光效率、高亮度和良好的热稳定性是固态照明的迫切要求。因此，用于高功率发光二极管或激光二极管（LED/LD）的高性能荧光转换材料具有重要的研究意义。在这项工作中，通过将Lu³⁺离子引入YAG∶Ce荧光陶瓷中方法作为有效策略来改善YAG∶Ce荧光材料的发光性能。采用固相反应和真空烧结法制备了不同Lu³⁺含量的（Lu，Y）₃Al₅O₁₂∶Ce荧光陶瓷（LuYAG∶Ce荧光陶瓷）。随着Lu³⁺含量的增加，LuYAG∶Ce荧光陶瓷中的Y³⁺位点被Lu³⁺位点取代，Ce³⁺的发射峰呈现从573 nm到563 nm的蓝移现象。当Lu³⁺含量为60%时，通过将LuYAG∶Ce荧光陶瓷与蓝光LED组合，其发光强度达到最大值，流明效率达到114 lm?W^-1。使用450 nm激光源与LuYAG∶Ce荧光陶瓷构建了透射模式下的激光驱动照明装置。随着功率密度从2.2 W·mm^-2增加到39 W·mm^-2，Lu³⁺含量为60%的荧光陶瓷光通量从128 lm增加到1 874 lm，且没有发光饱和的迹象，最佳发光效率达到128 lm·W^-1。因此，LuYAG∶Ce荧光陶瓷有望成为高功率LED/LD照明的潜在荧光转换材料。

采用共沉淀法合成了一系列颜色可调的单掺和共掺Sr_0.3Ca_0.7（MoO₄）₂∶Tb³⁺，Eu³⁺荧光粉。用X射线衍射和扫描电镜对荧光粉的晶体结构和形貌进行了表征。结果表明，Tb³⁺和Eu³⁺的少量掺入无杂峰产生，对样品的晶体结构几乎没有影响。研究了样品的发光特性和温度传感特性。在样品的发光特性中，证实了Sr_0.3Ca_0.7?（MoO₄）₂荧光粉中Tb³⁺向Eu³⁺的能量传递。同时，通过温度依赖性发射光谱，证明所制备的Sr_0.3Ca_0.7（MoO₄）₂∶Tb³⁺，Eu³⁺荧光粉具有较好的热稳定性。计算了样品的绝对灵敏度和相对灵敏度，Sr_0.3Ca_0.625（MoO₄）₂∶0.05Tb³⁺，0.025Eu³⁺样品的相对灵敏度在514 K时最大值为0.861%·K^-1。此外，在紫外光激发下，通过调节Eu³⁺的掺杂浓度，Sr_0.3Ca_0.7（MoO₄）₂∶Tb³⁺，Eu³⁺荧光粉的发光颜色可调谐。

近年来，用于制备白光发光二极管（LED）的窄带发射荧光粉在降低能源消耗、提高白光质量以及保持色度稳定等方面具有重要作用，因而被研究者们广泛关注。Eu²⁺离子独特的4f?5d跃迁以及与局部环境的依赖性，为制备窄带发射荧光粉提供了可能。但是，目前窄带发射的理论尚不完备，大多Eu²⁺掺杂窄带发射荧光粉的研发均基于大量的重复性试验。本文以位形坐标模型为基础，从理论计算方面对窄带型Eu²⁺掺杂荧光粉的研究进行综述，重点讨论局部配位环境、晶体结构、斯托克斯位移以及耦合声子频率等因素对Eu²⁺离子发射半峰宽（FWHM）的影响，期望为新型Eu²⁺掺杂窄带发射荧光粉提供理论依据。