1 哈尔滨工程大学 物理与光电工程学院，黑龙江 哈尔滨 150001
2 滨州学院 航空工程学院，山东 滨州 256603
3 哈尔滨师范大学 光电带隙材料教育部重点实验室，黑龙江 哈尔滨 150025
采用共沉淀法合成了一系列颜色可调的单掺和共掺Sr0.3Ca0.7（MoO4）2∶Tb3+，Eu3+荧光粉。用X射线衍射和扫描电镜对荧光粉的晶体结构和形貌进行了表征。结果表明，Tb3+和Eu3+的少量掺入无杂峰产生，对样品的晶体结构几乎没有影响。研究了样品的发光特性和温度传感特性。在样品的发光特性中，证实了Sr0.3Ca0.7?（MoO4）2荧光粉中Tb3+向Eu3+的能量传递。同时，通过温度依赖性发射光谱，证明所制备的Sr0.3Ca0.7（MoO4）2∶Tb3+，Eu3+荧光粉具有较好的热稳定性。计算了样品的绝对灵敏度和相对灵敏度，Sr0.3Ca0.625（MoO4）2∶0.05Tb3+，0.025Eu3+样品的相对灵敏度在514 K时最大值为0.861%·K-1。此外，在紫外光激发下，通过调节Eu3+的掺杂浓度，Sr0.3Ca0.7（MoO4）2∶Tb3+，Eu3+荧光粉的发光颜色可调谐。
荧光特性 能量传递 荧光粉 光学温度传感 photoluminescence properties energy transfer phosphors optical temperature sensing
桂林理工大学 材料科学与工程学院 广西光电材料与器件重点实验室 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室，广西 桂林 541004
采用高温固相法合成了BaLa1-xGa3O7：xBi3+（0.01≤x≤0.13）系列荧光粉。X射线衍射数据和Rietveld精修结果表明，BaLa1-xGa3O7：xBi3+荧光粉具有黄长石结构。扫描电镜图像显示，荧光粉的颗粒为不规则形状，尺寸在5~30 μm之间。漫反射光谱表明，BaLaGa3O7基体对于Bi3+离子掺杂发光具有合适的光学带隙。在348 nm紫外光激发下，BaLa1-xGa3O7：xBi3+荧光粉呈现出中心波长位于475 nm的宽带发射。随着Bi3+离子掺杂浓度增加，荧光粉的发射强度出现先增加后减少的趋势，该浓度猝灭发光现象源于偶极-偶极相互作用。其中，BaLa0.89Ga3O7：0.11Bi3+荧光粉的发射强度达到最大，量子产率为19.2%，且在150℃时的发射强度仍能保持25℃时的69.2%，说明BaLa1-xGa3O7：xBi3+荧光粉在近紫外激发白光LED领域具有潜在的应用价值。
Bi3+离子 镓酸盐 荧光粉 发光性能 白光LED Bi3+ ion Gallate Phosphors Photoluminescence properties White LEDs
1 淮阴工学院 数理学院, 江苏 淮安 223003
2 重庆理工大学 机械工程学院, 重庆 400054
3 重庆理工大学, 化学化工学院, 重庆 400054
用B4C为硼源, 利用CVD系统在N2-H2等离子体中合成了掺杂BNx纳米棒, 接着在掺杂BNx纳米棒表面用CH4生长了石墨烯纳米片, 制备出掺杂BNx-石墨烯三维纳米复合材料。一系列表征结果说明合成的纳米复合材料由C和O共掺杂的BNx纳米棒和石墨烯纳米片组成, 其形成与碳氢基团的转换和掺杂BNx纳米棒的形变在石墨烯纳米片中产生的应力有关。室温发光性能表明石墨烯纳米片对掺杂BNx纳米棒的紫外光和绿光有明显的猝灭作用, 起源于掺杂BNx-石墨烯界面上的电荷转移和电子散射。
掺杂BNx-石墨烯纳米复合材料 化学气相沉积 发光性能 doped BNx-graphene hybrid nanomaterials chemical vapor deposition photoluminescence properties
河北大学物理科学与技术学院, 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002
采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜, 然后在形成气体FG(10%H2, 90%N2)气氛中进行450 ℃常规热退火50 min。 通过荧光光谱仪测得的稳态/瞬态光致发光(PL)谱研究了镶嵌有纳米硅的氮化硅（SiNx）薄膜样品光致发光特性。 结果表明, 样品的发光过程可以归因于纳米硅的量子限制效应发光和与缺陷相关的发光。 随着激发光能量的增加, PL谱峰位发生蓝移, 表明较小粒度的纳米硅发光比例增加; 温度的降低会抑制非辐射复合过程, 提高辐射复合几率, 因此发光寿命延长, 发光强度呈指数增加; 随着探测波长的减小, 样品的发光寿命则明显缩短, 表明纳米硅的量子限制效应发光对温度有很强的依赖性。
纳米硅/氮化硅 光致发光 温度依赖特性 nc-Si/SiNx Photoluminescence properties The temperature dependent
1 安徽建筑大学 材料与化学工程学院, 安徽 合肥 230601
2 安徽建筑大学 功能分子设计与界面过程重点实验室, 安徽 合肥 230601
3 安徽建筑大学 材料与化学工程学院, 安徽 合肥 230601781
在微乳体系(十六烷基三甲基溴化氨/水/戊烷/戊醇)协助下, 采用钼酸钠和硝酸镧通过微乳反应制备了具有不同微结构的La2(MoO4)3。在表面活性剂CTAB浓度由0.2 mol/L增加到0.4 mol/L的过程中, La2-(MoO4)3的结构由蚕蛹状逐渐转变成近球形。经800 ℃煅烧处理4 h后的La2(MoO4)3∶Eu3+材料通过396 nm紫外光激发, 发射出由5D0→7F2的受迫电偶极跃迁产生的波长为617 nm红光, 且当Eu3+掺杂摩尔分数达到20%时, 发光强度达到最大。
微乳液 发光性能 microemulsion La2(MoO4)3∶Eu3+ La2(MoO4)3∶Eu3+ photoluminescence properties
1 浙江师范大学 LED芯片研发中心， 浙江 金华 321004
2 发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春 130033
通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明，ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明，ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增大，这主要是由于CuO壳层对ZnO核层的修饰减少了表面态，而当壳层厚度增加到一定程度时，ZnO的PL强度不再变化，这主要是由于在核壳结构中形成了type-I型结构的原因。我们对这一现象做了详细的讨论。
核壳结构纳米线 光致发光性质 type-I 型结构 ZnO/CuO ZnO/CuO core/shell nanowires photoluminescence properties type-I band alignment
1 北京工业大学应用数理学院, 北京 100124
2 澳大利亚国立大学激光物理中心, 澳大利亚 ACT0200
本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法, 利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波, 实验上完成了在Al2O3(0001)基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱和光学透射谱对不同基片温度下沉积的ZnO薄膜的表面形貌和光学特性进行研究。结果表明,沉积时的基片温度对ZnO薄膜的结构和特性有显著影响。在基片温度为500 ℃时沉积的ZnO薄膜结构致密均匀, 并表现出很强的紫外发射。通过紫外-可见透射光谱的测量, 讨论了沉积时的基片温度对ZnO薄膜光学透射率的影响。
材料 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 表面形貌 光致发光 透射光谱
1 河北大学物理科学与技术学院, 河北 保定 071002
2 衡水学院物理系, 河北 衡水 053000
采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜，对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明，二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征，自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光，N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明，N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度，N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光，表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。
薄膜 p型ZnO发光特征 光致发光 掺杂技术
1 四川大学原子与分子物理研究所,成都610065
2 井冈山学院物理系,吉安343009
采用密度泛函(B3P86／6-311g**)方法研究了偶极电场作用下β-ZnS发光影响，发现β-ZnS最高占据轨道(KSHOMO)与最低占据轨道(KSLUMO)能隙是1．9739～1．4676eV，而采用HFSCF方法能隙大于7．7892eV。适当强度外电场作用下β-ZnS分子的受激发射波长与实验值吻合较好。说明β-ZnS分子具有受激发射的发光特性。
硫化锌 能级结构 激发态 发光特性 Zinc sulfide Energy level structure Excited states Photoluminescence properties 原子与分子物理学报
2004, 21(4): 583
