采用热蒸镀法，在石英基底上制备了不同化学组分的Ge_xAs_ySe_1-x-y 硫系玻璃薄膜，并对其拉曼光谱进行测量，旨在分析化学组分对薄膜内部结构的影响。分析了波数位于100~350 cm^-1范围内薄膜拉曼光谱的演变，用高斯曲线对拉曼光谱进行分峰拟合。结果表明，样品在190 cm-1 处Ge-Se 振动模式随着Ge 和As 含量的增加而变强；随着平均配位数(MCN)的增加，As-Se 振动模式减弱，位于225 cm^-1和250 cm^-1处的两个拉曼峰逐渐合并，并向高波数区域延伸；在Ge 含量高的样品中，170~180 cm^-1处的拉曼峰是由薄膜内部键缺陷造成的。

利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20 ℃、氧压为1 Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。

采用热蒸镀法，制备12种不同化学计量配比的GexAsySe100-x-y硫系非晶玻璃薄膜，利用中心波长为656 nm的光辐照，系统探讨了Ge-As-Se硫系玻璃薄膜的光稳定性和光致效应机理，分析了辐射光通量与折射率和能隙宽度的伸展指数函数关系。实验表明多数薄膜有明显的光致漂白或光致暗化效应，平均配位数在2.45~2.50范围内的薄膜，光辐照前后能量带隙和折射率几乎没有变化，证明了特定化学配比的红外硫卤玻璃薄膜具有很好的光稳定性，在全光通信光学器件中有很好的应用前景。

采用脉冲激光沉积（PLD）法在不同氧分压下于LaAlO3 (100)基片上成功制备了SrTiO3（STO）薄膜。通过测试，表征了薄膜的微观结构、表面形貌和光学特性。研究表明，对于利用PLD法制备STO薄膜，氧分压是重要的工艺参数。随着氧分压的降低，薄膜的结晶性变好，并发生由立方晶系到四方晶系的形变;氧分压升高，薄膜晶粒尺寸变大、数目变少，薄膜的厚度减小。薄膜在400~2500 nm的可见光和红外波段呈现较低的光学吸收。在5，10和15 Pa氧压下制备的STO薄膜的能隙宽度分别约为3.84，4.13和4.05 eV。这为STO薄膜进一步的制备与分析提供了良好的实验数据支持。

利用GCR-170型脉冲激光器 Nd：YAG的三次谐波(355 nm)，以蓝宝石Al2O3 (0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了ZnO薄膜.通过原子力显微镜、Raman谱、光致发光谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的ZnO薄膜进行了测试.分析了在不同衬底温度下薄膜的表面形貌、光学特性，同时进行了薄膜结构和厚度的测试.研究表明：衬底温度对ZnO薄膜的表面形貌、光学特性、结构特性都是重要的工艺参量，尤其在500 ℃时沉积的ZnO薄膜致密均匀，并表现出较强的紫外发射峰.

对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨、预烧、研磨、压模和烧结,利用常压固相反应烧结法制备了直径为30 mm,厚度为5 mm高质量的InGaZnO陶瓷靶材,并对InGaZnO靶材进行了X射线衍射(XRD)测试。采用脉冲激光沉积的方法,一定温度下在石英玻璃衬底上生长了InGaZnO薄膜,并对薄膜进行原子力显微镜、透射光谱与霍尔效应的测试与表征,制备出具有高平整度、高透射率与优异电学性质的透明氧化物半导体(TOS)薄膜,为进一步对InGaZnO薄膜的制备与分析提供良好的实验数据支持。

利用固相反应法制备Zn_0.9Co_0.1O三维体材料,在不同的烧结温度下,应用单因素实验法对相同的配比成分样品进行处理,并对样品进行性能测试,寻找出最佳反应温度,为下一步沉积ZnO掺Co薄膜提供良好的靶材。分别对Zn_0.9Co_0.1O材料进行了X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)图谱和光致发光谱(PL)等进行了测试和分析。实验结果表明,烧结温度制约CO²⁺掺入ZnO晶格,并取代Zn²⁺的位置而不影响ZnO结构,在1200℃时制备的材料保持了纤锌矿结构,从拉曼光谱中也看到CO²⁺的声子结构特征明显,并且出现Co离子进入ZnO晶格使得带隙变窄的光学现象。

本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法, 利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波, 实验上完成了在Al2O3(0001)基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱和光学透射谱对不同基片温度下沉积的ZnO薄膜的表面形貌和光学特性进行研究。结果表明,沉积时的基片温度对ZnO薄膜的结构和特性有显著影响。在基片温度为500 ℃时沉积的ZnO薄膜结构致密均匀, 并表现出很强的紫外发射。通过紫外-可见透射光谱的测量, 讨论了沉积时的基片温度对ZnO薄膜光学透射率的影响。