采用热蒸镀法，在石英基底上制备了不同化学组分的GexAsySe1-x-y 硫系玻璃薄膜，并对其拉曼光谱进行测量，旨在分析化学组分对薄膜内部结构的影响。分析了波数位于100~350 cm-1范围内薄膜拉曼光谱的演变，用高斯曲线对拉曼光谱进行分峰拟合。结果表明，样品在190 cm-1 处Ge-Se 振动模式随着Ge 和As 含量的增加而变强；随着平均配位数(MCN)的增加，As-Se 振动模式减弱，位于225 cm-1和250 cm-1处的两个拉曼峰逐渐合并，并向高波数区域延伸；在Ge 含量高的样品中，170~180 cm-1处的拉曼峰是由薄膜内部键缺陷造成的。
薄膜 Ge-As-Se 硫系玻璃 分峰拟合 拉曼光谱 化学结构 激光与光电子学进展
2016, 53(2): 023101
利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20 ℃、氧压为1 Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。
透明氧化物半导体 非晶IGZO薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率 transparent oxide semiconductors amorphous IGZO films pulsed laser deposition transparency electron mobility 强激光与粒子束
2014, 26(12): 121007
