以硫粉末和MoO3粉末作为原料, 通过化学气相沉积法制备出MoS2薄膜, 用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS2薄膜进行表征。结果表明: 制备得到的二维MoS2, 其晶体形貌为三角形, 尺寸约为60 μm, 薄膜厚度约为0.7 nm; 二维MoS2可以作为理想的表面增强喇曼散射衬底, 促进与有机小分子的电子转移, 因此两者的喇曼光谱强度均增强。在MoS2薄膜上沉积有机小分子pentacene制备出具有良好整流特性的有机-无机pentacene/MoS2异质结, 通过分析ln(I/V2)-1/V曲线, 发现该异质结存在Fowler-Nordheim 隧穿现象, logI-logV曲线显示当电压在0~1 V时, 电荷传导为欧姆导电, 当电压高于1 V时, 电荷传导由空间电荷限制电流机制主导.研究结果可为单层MoS2与有机小分子pentacene结合应用于光电领域提供基础.

测量并分析了盐酸苯海拉明的红外光谱和拉曼光谱。在Raman光谱中, 1001 cm-1出现一个极强峰, 在1030 cm-1和618 cm-1各有一个中等峰,此外,在红外光谱中, 714 cm-1和757 cm-1附近出现极强的吸收峰,认定这个化合物中存在单取代苯。C-N的对称伸缩振动出现在837 cm-1, 1433 cm-1和1470 cm-1分别为CH2和CH3的变形振动, 在红外光谱中, 1020 cm-1处明显的吸收峰属于C-O-C反对称伸缩振动。此外, 测量得到含量为25 mg苯海拉明药片的拉曼光谱与纯苯海拉明的拉曼峰比较一致, 可作为无损快速检测该药物的手段。

利用拉曼光谱分别对Bi4Ge3O12(BGO)晶体以及BGO: Pb(0.02 wt %), BGO: Al(0.02 wt %)进行了分析研究。测得的拉曼光谱显示, 掺杂晶体对比纯的BGO晶体, 在某些特征峰处, 相对强度发生改变。此外, 对于掺杂的晶体, 部分拉曼特征峰会有偏移。因此, 可以通过测定拉曼光谱来判定样品是否含有杂质。

采用脉冲激光沉积（PLD）法在不同氧分压下于LaAlO3 (100)基片上成功制备了SrTiO3（STO）薄膜。通过测试，表征了薄膜的微观结构、表面形貌和光学特性。研究表明，对于利用PLD法制备STO薄膜，氧分压是重要的工艺参数。随着氧分压的降低，薄膜的结晶性变好，并发生由立方晶系到四方晶系的形变;氧分压升高，薄膜晶粒尺寸变大、数目变少，薄膜的厚度减小。薄膜在400~2500 nm的可见光和红外波段呈现较低的光学吸收。在5，10和15 Pa氧压下制备的STO薄膜的能隙宽度分别约为3.84，4.13和4.05 eV。这为STO薄膜进一步的制备与分析提供了良好的实验数据支持。

实验测量了木糖醇的拉曼光谱和红外光谱, 在相关文献的帮助下, 对其谱带进行了初步指认。在拉曼光谱中, 1000 cm-1~1110 cm-1之间的中等强度振动属于C-O伸缩振动和H-C-O弯曲振动。850 cm-1到920 cm-1之间的振动属于C-C伸缩振动。羟基面内弯曲振动在红外吸收光谱中出现在1300~1500 cm-1, O-H的变形振动δO-H出现在1420~1380 cm-1。

用溶致相分离的方法制备了以PMMA为基体的四种不同配比的聚合物分散液晶(PDLC), 四氢呋喃为引发剂, 并且通过傅立叶拉曼光谱仪对其进行检测, 分析其光谱, 观察各单体混合前后性质的变化, 鉴别聚合物分散液晶的物质构成。此外, 在指定的组分前提下, 根据液晶最强峰与PMMA特征峰的相对强度拟合曲线得出PDLC中液晶与PMMA的质量百分比, 为下一步研究聚合物分散液晶系统的光折变特性提供指导。

利用GCR-170型脉冲激光器 Nd：YAG的三次谐波(355 nm)，以蓝宝石Al2O3 (0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了ZnO薄膜.通过原子力显微镜、Raman谱、光致发光谱、红外透射谱、霍尔效应和表面粗糙度分析仪对制备的ZnO薄膜进行了测试.分析了在不同衬底温度下薄膜的表面形貌、光学特性，同时进行了薄膜结构和厚度的测试.研究表明：衬底温度对ZnO薄膜的表面形貌、光学特性、结构特性都是重要的工艺参量，尤其在500 ℃时沉积的ZnO薄膜致密均匀，并表现出较强的紫外发射峰.

对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨、预烧、研磨、压模和烧结,利用常压固相反应烧结法制备了直径为30 mm,厚度为5 mm高质量的InGaZnO陶瓷靶材,并对InGaZnO靶材进行了X射线衍射(XRD)测试。采用脉冲激光沉积的方法,一定温度下在石英玻璃衬底上生长了InGaZnO薄膜,并对薄膜进行原子力显微镜、透射光谱与霍尔效应的测试与表征,制备出具有高平整度、高透射率与优异电学性质的透明氧化物半导体(TOS)薄膜,为进一步对InGaZnO薄膜的制备与分析提供良好的实验数据支持。

利用固相反应法制备Zn_0.9Co_0.1O三维体材料,在不同的烧结温度下,应用单因素实验法对相同的配比成分样品进行处理,并对样品进行性能测试,寻找出最佳反应温度,为下一步沉积ZnO掺Co薄膜提供良好的靶材。分别对Zn_0.9Co_0.1O材料进行了X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)图谱和光致发光谱(PL)等进行了测试和分析。实验结果表明,烧结温度制约CO²⁺掺入ZnO晶格,并取代Zn²⁺的位置而不影响ZnO结构,在1200℃时制备的材料保持了纤锌矿结构,从拉曼光谱中也看到CO²⁺的声子结构特征明显,并且出现Co离子进入ZnO晶格使得带隙变窄的光学现象。

碳纳米管晶格动力学的研究可以提供碳纳米管结构和螺旋性等方面的相关信息。在室温下测量了单壁碳纳米管的红外吸收光谱，首次在透射法模式下观察到了其晶格振动模的红外吸收峰，通过与晶格动力学理论计算值对照，做出了振动模的初步归属。讨论了单壁碳纳米管高频振动模与管径的关系，并与高取向热解石墨振动模进行了对比。结果表明，红外吸收光谱包含有碳纳米管的许多信息，是研究其晶格动力学的有效方法。