以ITO导电玻璃衬底, CuSO4、KI为反应溶液, EDTA为络合剂, 通过简单的电化学方法分别在40, 60, 80 ℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异, 作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析, 场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察。实验结果表明: 碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成, 沿(111)晶相择优生长。随着电沉积温度的升高, 颗粒的尺寸从2 μm减小到500 nm。不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄膜均在拉曼光谱上呈现出一个强的LO峰和一个微弱的TO峰, 峰的强度均随着电沉积温度的升高而增大。同时, 光致发光(PL)光谱的分析显示出强的近带边发射峰。CuI粉末在结构及形貌等性质上与CuI薄膜有一定的差异。

通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明，ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明，ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增大，这主要是由于CuO壳层对ZnO核层的修饰减少了表面态，而当壳层厚度增加到一定程度时，ZnO的PL强度不再变化，这主要是由于在核壳结构中形成了type-I型结构的原因。我们对这一现象做了详细的讨论。