1 中南大学物理与电子学院 超微结构与超快过程湖南省重点实验室, 湖南 长沙 410083
2 浙江师范大学LED芯片研发中心, 浙江 金华 321004
3 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京 100083
利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术, 研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现: ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级; 测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸收截面约为4.3×10-44 cm4·s·photon-1, 比相应的ZnS、ZnSe及 CdS量子点大2个数量级; 当ZnO/ZnS核-壳量子点镶嵌了银纳米点时, 非线性吸收有所增强。ZnO基复合纳米结构的双光子吸收增强可归因于量子限域与局域场效应。
双光子吸收 ZnO/ZnS核-壳量子点 Z-扫描技术 two-photon absorption ZnO/ZnS core/shell quantum dots Z-scan technique
1 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京100083
2 东北师范大学化学学院 多酸科学教育部重点实验室, 吉林 长春130024
3 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京100083
设计了由金属硫化物/聚苯胺p-n异质结和紫外光敏材料氧化锌所组成的光敏传感器, 通过紫外光照外接氧化锌层来控制金属硫化物/聚苯胺p-n结的耗尽区厚度。与其他报道的光敏材料不同的是, 其他光敏材料在紫外光照射下光电导会增加, 而该光敏传感器在紫外光照射下光电导会减少。
紫外光控制 金属硫化物 聚苯胺 p-n结 光敏传感器 UV light controllable metal sulfide polyaniline p-n junction photoresponsive sensor
1 浙江师范大学 LED芯片研发中心， 浙江 金华 321004
2 发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春 130033
通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明，ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明，ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增大，这主要是由于CuO壳层对ZnO核层的修饰减少了表面态，而当壳层厚度增加到一定程度时，ZnO的PL强度不再变化，这主要是由于在核壳结构中形成了type-I型结构的原因。我们对这一现象做了详细的讨论。
核壳结构纳米线 光致发光性质 type-I 型结构 ZnO/CuO ZnO/CuO core/shell nanowires photoluminescence properties type-I band alignment
