采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜, 然后在形成气体FG(10%H2, 90%N2)气氛中进行450 ℃常规热退火50 min。 通过荧光光谱仪测得的稳态/瞬态光致发光(PL)谱研究了镶嵌有纳米硅的氮化硅（SiNx）薄膜样品光致发光特性。 结果表明, 样品的发光过程可以归因于纳米硅的量子限制效应发光和与缺陷相关的发光。 随着激发光能量的增加, PL谱峰位发生蓝移, 表明较小粒度的纳米硅发光比例增加; 温度的降低会抑制非辐射复合过程, 提高辐射复合几率, 因此发光寿命延长, 发光强度呈指数增加; 随着探测波长的减小, 样品的发光寿命则明显缩短, 表明纳米硅的量子限制效应发光对温度有很强的依赖性。

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计分析了氧掺入对薄膜微观结构以及能带特性的影响.结果表明,随着氧掺入比(CO2/SiH4)的增加,薄膜晶粒尺寸减小,晶化度降低,纳米硅(nc-Si)表面的张应力先增加后减小.红外吸收谱分析表明,氧掺入比增加导致薄膜内氧含量增高,富氧Si—O键合密度增加,富硅Si—O键合密度降低.同时,薄膜结构因子减小,有序度增大,薄膜微观结构得到改善.当氧掺入比大于0.08时,薄膜结构因子增大,有序度降低.此外,氧掺入增加导致薄膜带隙不断增加,带尾宽度呈现先减小后增大的趋势.因此,通过氧掺入可以调节纳米硅薄膜微观结构及能带特性,氧掺入比为0.08时,薄膜具有高晶化度和较宽的带隙,微观结构得到有效改善,可用作薄膜太阳能电池的本征层.

为了设计一种单元结构的反射型等分束角偏光棱镜，根据各向异性晶体中光的全反射理论及实际使用要求，从理论上对这种单元反射型棱镜的结构进行了分析，找到了一个使棱镜实现等角分束的结构角，并以此结构角为基础，分析得到了棱镜的分束角不对称度随光波入射角及入射波长的变化关系。结果表明，利用此理论结果设计的反元结构反射型偏光镜，其分束角不对称度随入射角和入射波长的变化不大，满足使用要求。

在波长为266nm的激光作用下对1，3－二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究，获得了溴苯分子的MPIF－TOF质谱，并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系。用这些实验结果分析1，3－二溴苯分子的多光子电离解离机理，得出1，3－二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离－中性碎片电离，C₆H(+，4)，C₅H(+，3)，C₄H(+，2)，C₃H⁺等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的，并给出了可能的解离通道。

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH₃I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制。得到了分子的飞行时间质谱，质谱中有较强的H⁺、CH(+，3)和I⁺信号，较弱的C⁺，CH⁺、CH(+，2)和母体离子CH₃I⁺信号，CH₃I⁺的出现表明CH₃I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式：CH₃I分子由双光子共振激发到里德堡C态，处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH₃I⁺，碎片离子可由母体离子解离形成。同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH₃I分子的多光子电离解离通道进行分析，提出了可能的解离电离通道。

为了研究单轴晶体最大双折射率在某一波长下随温度的变化情况，根据偏振光干涉的理论分析，推导出了单轴晶体最大双折射率随温度变化的解析式。在此基础上，设计、建立了一套双光路对比测试实验系统。利用该实验系统对石英晶体样品进行测试，获得了其实验数据变化曲线，并总结出了在测试波长下，石英晶体最大双折射率随温度变化的数学式。结果表明，单轴晶体在某一波长下的最大双折射率基本上与温度成线性关系；实验过程中，只要精确调整仪器，并注意控制好实验所需温度，其测量结果是可靠的。

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下探讨了532 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离(MPI)解离过程和机制,得到了分子的飞行时间质谱,质谱中包含较强的I+、CH3+离子信号和较弱的CH3I+、CHn+(n≤2)、C+、H+离子信号.不同激光能量下的质谱信号在排布上相似,但在强度上有差别.在532 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离包括两个过程:一是CH3I分子由双光子激发到A带解离,生成I原子和CH3基团,然后再吸收光子实现中性碎片电离;另一通道是CH3I分子由三光子共振激发到里德堡C态,处于激发态的母体分子继续吸收两个光子电离形成母体离子,碎片离子可由母体离子解离形成.