红外与毫米波学报, 2002, 21 (2): 87, 网络出版: 2006-05-10
SiGe/Si多量子阱中垂直方向红外吸收及共振色散效应
INFRARED ABSORPTION AT NORMAL INCIDENCE AND RESONANT DISPERSION EFFECT IN THE SiGe/Si MULTIPLE QUANTUM WELL
硅锗多量子阱 垂直方向子带间吸收 色散效应. SiGe multi quantum wells normal incidence intersubband absorption dispersion effect.
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吴兰. SiGe/Si多量子阱中垂直方向红外吸收及共振色散效应[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(2): 87. 吴兰. INFRARED ABSORPTION AT NORMAL INCIDENCE AND RESONANT DISPERSION EFFECT IN THE SiGe/Si MULTIPLE QUANTUM WELL[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(2): 87.
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