浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收.氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录.实验中观察到明显的层间干涉效应及与子带间跃迁有关的色散效应.理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制.
硅锗多量子阱 垂直方向子带间吸收 色散效应. SiGe multi quantum wells normal incidence intersubband absorption dispersion effect.
