光电子技术, 2019, 39 (3): 160, 网络出版: 2020-05-12
半导体的禁带宽度与温度关系研究
Study on Temperature Dependence of Semiconductor Bandgap
基本信息
| DOI: | 10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.03.002 |
| 中图分类号: | TN201 |
| 栏目: | 前沿报道 |
| 项目基金: | 国家重点研发计划项目(2016YFB0400102), 国家自然科学基金(61674076, 61422401, 51461135002), 江苏省自然科学基金(BY2013077, BK20141320, BE2015111), 固态照明与节能电子学协同创新中心, 江苏省重点学科资助计划, 江苏省六大人才高峰(XYDXX-081), 集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03), 南京大学扬州光电研究院研发基金, 国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金 |
| 收稿日期: | 2019-04-15 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2020-05-12 |
| 通讯作者: | 张熬 (seuzhangao@126.com) |
| 备注: | -- |
张熬, 陈鹏, 周婧, 李一萌, 杨云飞, 冒小康, 葛成, 施毅, 张荣, 郑有炓. 半导体的禁带宽度与温度关系研究[J]. 光电子技术, 2019, 39(3): 160. ZHANG Ao, CHEN Peng, ZHOU Jing, LI Yimeng, YANG Yunfei, MAO Xiaokang, GE Cheng, SHI Yi, ZHANG Rong, ZHENG Youdou. Study on Temperature Dependence of Semiconductor Bandgap[J]. Optoelectronic Technology, 2019, 39(3): 160.
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