半导体的禁带宽度与温度关系研究

张熬; 陈鹏; 周婧; 李一萌; 杨云飞; 冒小康; 葛成; 施毅; 张荣; 郑有炓

doi:doi:10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.03.002

光电子技术, 2019, 39 (3): 160, 网络出版: 2020-05-12

半导体的禁带宽度与温度关系研究

Study on Temperature Dependence of Semiconductor Bandgap

张熬 ^1,*陈鹏 ^1,2周婧 ¹李一萌 ¹杨云飞 ¹冒小康 ¹葛成 ¹施毅 ¹张荣 ¹郑有炓 ¹

作者单位

¹ 南京大学电子科学与工程学院, 江苏省光电功能材料重点实验室, 南京 210093

² 南京大学扬州光电研究院, 江苏扬州 225009

图 & 表

张熬, 陈鹏, 周婧, 李一萌, 杨云飞, 冒小康, 葛成, 施毅, 张荣, 郑有炓. 半导体的禁带宽度与温度关系研究[J]. 光电子技术, 2019, 39(3): 160. ZHANG Ao, CHEN Peng, ZHOU Jing, LI Yimeng, YANG Yunfei, MAO Xiaokang, GE Cheng, SHI Yi, ZHANG Rong, ZHENG Youdou. Study on Temperature Dependence of Semiconductor Bandgap[J]. Optoelectronic Technology, 2019, 39(3): 160.