随着近紫外芯片激发三基色荧光粉技术的发展，开发用于液晶显示背光源以满足高品质显示需求的新型窄带蓝色荧光粉已经成为材料研究者日益关注的焦点。本文采用高温固相法合成了具有钙钛矿结构原型的K₂BaPO₄F∶Eu²⁺窄带蓝色荧光粉。K₂BaPO₄F基质由［FK₄Ba₂］八面体以共享Ba、K原子的方式相连形成三维网状阴离子框架，进而与孔道中的［PO₄］四面体连接形成K₂BaPO₄F钙钛矿结构框架。Rietveld精修分析表明，Eu²⁺同时占据Ba²⁺和K⁺位点形成［Eu（1）O₈F₂］和［Eu（2）O₆F₂］配位多面体，两种多面体发光中心存在由偶极?偶极效应引起的Eu（1）→Eu（2）能量传递过程，使荧光粉具有发射峰值波长为432 nm、半峰宽为43 nm的高亮度窄带蓝光发射。基于密度泛函理论的第一性原理计算表明，K₂BaPO₄F基质为间接带隙化合物，理论带隙值为5.035 eV。K₂BaPO₄F∶Eu²⁺荧光粉展现了合适的荧光热稳定性（I_{493 K}/I_{293 K}=64%）和较高的内、外量子效率（分别为72.8%和46.4%），其性能指标虽然劣于BaMgAl₁₀O₁₇∶Eu²⁺、K_1.6Al₁₁O_17+δ∶Eu²⁺、Na₃Sc₂（PO₄）₃∶Eu²⁺等典型蓝粉，但优于其他一些已报道的蓝色荧光粉。上述研究工作不仅展现了K₂BaPO₄F∶Eu²⁺作为一种新型窄带蓝色荧光粉的应用潜力，而且也为基于矿物结构原型策略探索新型荧光粉提供了可能性。

在硅基GaN⁃LED上成功制备了不同形状和不同尺寸的微盘。通过角分辨光谱研究了圆形和不同尺寸的六边形微盘中光与激子的耦合作用。证明了微盘中共振模式的数量和强度对光与激子间的耦合作用的影响，为实现室温下GaN微盘的激子极化激元提供了依据。

红外光谱成像系统、光场成像系统、光学显微系统、偏振干涉成像系统、复眼成像系统、环带式全景光学系统、多尺度成像系统及头戴式增强显示系统等光学系统中，通常需要中继光学系统来实现光路衔接、配曈、偏转等。研究了现有中继光学系统结构，介绍了光阑前置即具有实入曈的像方远心离轴三反光学系统的设计方法及自由曲面的描述方法，完成了满足设计参数的具有实入瞳的远心中继光学系统仿真设计，系统各镜采用XY多项式描述的自由曲面离轴三反光学系统结构。CODEV仿真设计结果表明，在工作谱段0.4~5.0 μm、焦距400 mm、F数3、视场角2ω=8°下，系统MTF(Modulation Transfer Function)接近于衍射极限，畸变小于1%，成像质量良好。