结温及载流子温度因作为影响LED发光效率的重要参数而广受关注。文章研究了GaN基蓝光集成传感微小尺寸发光二极管（micro-LED）的光致发光（PL）光谱、载流子温度等随结温的变化规律。通过内置集成传感单元芯片，设计实现了GaN基蓝光micro-LED在0.04~53.4 A/cm2电流密度下结温和PL光谱的实时精确测量，并将正向电压法测量结温的低温端范围拓展至123 K。结果表明，低温下由于载流子泄漏、串联电阻的原因，结温与正向电压的线性斜率发生变化。针对PL光谱使用高能侧斜率法计算得到不同电流密度下的载流子温度，发现载流子温度与结温在所研究的结温和电流密度范围内可以近似用二次方程拟合，并对载流子温度随结温和电流密度变化的规律进行了分析和解释。

研究了Ag/p-GaN欧姆接触的工艺，得到较为优化的工艺方法并应用于器件制备。分别采用直接剥离Ag、氧等离子体去底胶后剥离Ag和湿法腐蚀Ag三种工艺制备Ag图形，对比了三种工艺样品的粘附性及接触电性，发现直接剥离Ag工艺存在Ag脱落问题，去底胶后剥离Ag工艺无法形成欧姆接触，而腐蚀后退火的样品则可以实现较好的粘附和较佳电性; 通过XPS分析了不同工艺对接触特性影响的机理。进一步，对比优化了Ag蒸发前表面化学处理工艺，结果表明酸性溶液处理或碱性溶液处理可以有效降低欧姆接触电阻率，酸性溶液处理略优。优化后的欧姆接触工艺可应用于可见光及深紫外LED器件制备，器件电学性能如下: 在40A/cm2电流密度下，蓝色发光二极管电压为2.95V，紫外发光二极管电压为6.01V。

常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽, 而紫外光的应用具有较强的波长选择性, 如320nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用, 因此, 具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义。文章采用GaN基p-i-n探测器结构, 通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层, 成功制备了对320nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器, 器件性能如下: 70nm银层的紫外光透射率峰值超过30%, 器件在-5V偏压下的暗电流为10-12A量级, 响应峰值为0.06A/W, 响应峰发生在325nm处, 光谱响应峰半高宽约30nm。

60只75日龄ISA褐蛋鸡随机分成长光组(LL)和短光组(SL), 试验期70 d。短光组恒定光/暗: 8 h/16 h; 长光组起始光/暗: 8 h/16 h, 每周增加0.5 h, 最长光/暗达到13 h/11 h。分别于105和136日龄每组取6羽蛋鸡采样, 观察光周期对蛋鸡GnRH-I mRNA, GnRH-Ra mRNA表达以及卵巢发育的影响。结果表明: 136 d长光组GnRH-I mRNA表达的丰度显著高于短光组(P<0.05), 且极显著高于105 d长光组和短光组的表达(P<0.01)。136 d短光组GnRH-Ra mRNA表达较105 d显著下降(P<0.05), 长光组GnRH-Ra mRNA的表达丰度显著高于短光组(P<0.05)。136 d长光组的卵巢重、卵巢指数极显著高于短光组(P<0.01)。以上说明, 长光明显上调开产前蛋鸡下丘脑GnRH-I mRNA的表达, 促进卵巢的发育; 短光则明显下调垂体GnRH-Ra mRNA的表达, 致使卵巢发育延缓。

设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.