1 杭州电子科技大学,微电子CAD研究所,浙江,杭州,310018
2 香港科技大学,电子与计算机工程系,香港
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.
Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声 Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT microwave monolithic integrated circuit (MMIC) voltage-controlled oscillator(VCO) phase noise
1 上海交通大学,电子工程系,上海,200030
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
提出一种新颖的蝴蝶结形缺陷接地结构(DGS)微带线,分析了该微带线的带阻特性和慢波特性.同时考虑微带线损耗,建立了该微带线的等效电路模型及其参数提取,并分析了蝴蝶结形DGS结构变化对阻带特性的影响.最后将该DGS结构应用于紧凑结构低通滤波器的设计,模拟结果与实验结果吻合较好,验证了所提结构的可靠性.
缺陷接地结构 微带线 阻带 慢波结构 低通滤波器 defected ground structure microstrip line stop band slow wave structure low pass filter
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
用HP-ADS软件优化设计了8mm集成环形倒扣混频器电路,在射频频率为35.1GHz,本振频率为35GHz时,三端口具有良好的隔离特性;计算机仿真最佳本振功率为6～15dBm,变频损耗小于5dB.研制了集成倒扣8mm混频器芯片面积为3×3.75μm2,实测结果与设计结果吻合较好.
环形混频器 仿真 研制 倒扣. ring mixer simulation fabrication flip-chip.
介绍采用混合贴装倒扣二极管技术制造的新型24GHz平衡混频器.并对该混频器进行设计、仿真、加工和测试.它能提供中频100kMz时小于10dB的变频损耗,本振与信号之间优于35dB的隔离度.其结构特点利于大批量、低成本生产,适合汽车电子系统的需求.
集成电路技术 汽车防撞雷达 倒扣技术 平衡混频器. integrate circuit technology automotive collision avoidance radar flip chip balance mixer.
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上??200050
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
介绍了用MCM-D技术研制的8mm芯片集成接收机的设计方法及系统实现. 用Agilent ADS软件进行了系统仿真,给出了接收机仿真与实测结果,测得接收机增益为20.2dB,接收灵敏度为-92dBm,噪声系数接近5dB.
芯片集成 接收机 仿真 研制. integrated chip receiver simulation fabrication
