常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽, 而紫外光的应用具有较强的波长选择性, 如320nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用, 因此, 具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义。文章采用GaN基p-i-n探测器结构, 通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层, 成功制备了对320nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器, 器件性能如下: 70nm银层的紫外光透射率峰值超过30%, 器件在-5V偏压下的暗电流为10-12A量级, 响应峰值为0.06A/W, 响应峰发生在325nm处, 光谱响应峰半高宽约30nm。

通过引入膨胀因子随光栅胶层厚度的变化函数来研究在非均匀膨胀和收缩情况下反射体全息光栅的衍射特性。根据Kamiya严格的分层计算方法，借用Lorentz-Lorenz公式，推导出了平均折射率和折射率调制度的解析表达式，据此考察了膨胀因子以定值、线性函数、非线性函数变化时光栅+1级衍射光的衍射特性，分析了平均折射率和折射率调制度在理想情况和衰减分布时对光栅角度和波长选择特性的影响程度。给出了胶层厚度及光栅周期与曝光和未曝光区域膨胀因子的函数关系，讨论了光栅衍射效率对膨胀因子变化的响应程度。结果表明，膨胀因子的非均匀分布令光栅衍射效率曲线出现非对称分布；相比于折射率调制度，光栅布拉格角度对平均折射率变化较为敏感；曝光与未曝光区域膨胀因子会影响衍射效率峰值、光栅角带宽和波带宽。该结论对反射体全息光栅曝光后水浴膨胀与脱水收缩等工艺具有理论指导意义。

报道了一种单片集成的1550 nm的四镜三腔谐振腔增强型(RCF)半导体光探测器。通过多腔的设计解决了传统RCE光探测器量子效率、高速响应和光谱响应线宽之间的相互制约问题；利用InP/GaAs低温缓冲层技术解决了大失配异质外延生长的问题，器件可以同时获得高速、高量子效率和窄的光谱响应线宽。制备的器件响应波长为1550 nm，峰值量子效率接近70%，其光谱线宽为0.5 nm，3 dB响应带宽大于8 GHz。

为了寻求高质量和高密度的密集波分复用器件,采用了在双掺铟铁的铌酸锂晶体中透射式记录/正交式读出方案制作体全息光栅的方法,对体全息光栅衍射特性进行理论分析和实验验证。利用波长为532nm的激光记录尺寸比为1:1的体全息光栅,然后用中心波长为1550nm的红外通讯波长成功读出,取得了波长选择性为0.5nm的波长衍射特性数据。同时,利用2维耦合波理论的闭形式解析解得到了该体全息光栅衍射效率随波长的变化关系。结果表明,实验结果与理论预期相符合,这一方法对制作体全息光栅密集波分复用器件的实用化是有帮助的。

为了研究体全息光栅波分复用器件的波长选择性，采用532 nm绿光透射式记录的方法在一块双掺铟铁立方型铌酸锂晶体中先后记录了具有不同光栅尺寸比的有限尺寸体全息光栅，用光通信波段红外可调谐激光器对这些光栅分别进行了正交式读出。光栅尺寸比为4∶3，4∶2和5∶2时得到的波长选择性曲线的3 dB带宽分别为0.48 nm，0.45 nm和0.43 nm，对应的布拉格中心波长均与理论预测值吻合得很好。表明在用通信波长对体全息光栅进行读出时，随着光栅尺寸比的增大，波长选择性曲线的3 dB带宽会减小。通过选择合适的光栅尺寸比可以明显改进体全息光栅波分复用器件的波长选择性，从而达到密集波分复用的需求。