南京大学 电子科学与工程学院 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京 210023
常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽, 而紫外光的应用具有较强的波长选择性, 如320nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用, 因此, 具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义。文章采用GaN基p-i-n探测器结构, 通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层, 成功制备了对320nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器, 器件性能如下: 70nm银层的紫外光透射率峰值超过30%, 器件在-5V偏压下的暗电流为10-12A量级, 响应峰值为0.06A/W, 响应峰发生在325nm处, 光谱响应峰半高宽约30nm。
p-i-n紫外探测器 银纳米薄膜 波长选择性 p-i-n ultraviolet detector GaN GaN Ag nanofilm wavelength selectivity
