发光学报, 2011, 32 (10): 1020, 网络出版: 2011-10-21  

利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD
作者单位
1 集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
2 大连理工大学 物理与光电工程学院, 辽宁 大连 116024
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20113210.1020
中图分类号: TN304.2
栏目: 材料合成及性能研究
项目基金: 国家自然科学基金(60877020, 61006006)资助项目
收稿日期: 2011-05-12
修改稿日期: 2011-06-30
网络出版日期: 2011-10-21
通讯作者: 赵龙 (zhaolongaza@163.com)
备注: --

赵龙, 殷伟, 夏晓川, 王辉, 史志锋, 赵旺, 王瑾, 董鑫, 张宝林, 杜国同. 利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜[J]. 发光学报, 2011, 32(10): 1020. ZHAO Long, YIN Wei, XIA Xiao-chuan, WANG Hui, SHI Zhi-feng, ZHAO Wang, WANG Jin, DONG Xin, ZHANG Bao-lin, DU Guo-tong. As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(10): 1020.

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