发光学报, 2011, 32 (10): 1020, 网络出版: 2011-10-21
利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜
As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20113210.1020 |
中图分类号: | TN304.2 |
栏目: | 材料合成及性能研究 |
项目基金: | 国家自然科学基金(60877020, 61006006)资助项目 |
收稿日期: | 2011-05-12 |
修改稿日期: | 2011-06-30 |
网络出版日期: | 2011-10-21 |
通讯作者: | 赵龙 (zhaolongaza@163.com) |
备注: | -- |
赵龙, 殷伟, 夏晓川, 王辉, 史志锋, 赵旺, 王瑾, 董鑫, 张宝林, 杜国同. 利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜[J]. 发光学报, 2011, 32(10): 1020. ZHAO Long, YIN Wei, XIA Xiao-chuan, WANG Hui, SHI Zhi-feng, ZHAO Wang, WANG Jin, DONG Xin, ZHANG Bao-lin, DU Guo-tong. As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(10): 1020.