利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

赵龙; 殷伟; 夏晓川; 王辉; 史志锋; 赵旺; 王瑾; 董鑫; 张宝林; 杜国同

doi:doi:10.3788/fgxb20113210.1020

发光学报, 2011, 32 (10): 1020, 网络出版: 2011-10-21

利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD

赵龙 ^1,*殷伟 ¹夏晓川 ²王辉 ¹史志锋 ¹赵旺 ¹王瑾 ¹董鑫 ¹张宝林 ¹杜国同 ^1,2

作者单位

¹ 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院, 吉林长春 130012

² 大连理工大学物理与光电工程学院, 辽宁大连 116024

图 & 表

赵龙, 殷伟, 夏晓川, 王辉, 史志锋, 赵旺, 王瑾, 董鑫, 张宝林, 杜国同. 利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜[J]. 发光学报, 2011, 32(10): 1020. ZHAO Long, YIN Wei, XIA Xiao-chuan, WANG Hui, SHI Zhi-feng, ZHAO Wang, WANG Jin, DONG Xin, ZHANG Bao-lin, DU Guo-tong. As-doped p-type ZnMgO Films Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(10): 1020.