光子学报, 2018, 47 (4): 0423002, 网络出版: 2018-03-15
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
Design of Triple-mesa InGaAs/InP Avalanche Photodiode with Low Edge Electric Field
基本信息
DOI: | 10.3788/gzxb20184704.0423002 |
中图分类号: | TN364;TN215 |
栏目: | |
项目基金: | 国家自然科学基金(No.11673019)和广西精密导航技术与应用重点实验室基金项目(No.DH201710)资助 |
收稿日期: | 2017-11-28 |
修改稿日期: | 2018-01-09 |
网络出版日期: | 2018-03-15 |
通讯作者: | 朱帅宇 (zhushuaiyu1126@163.com) |
备注: | -- |
朱帅宇, 谢生, 陈宇. 三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计[J]. 光子学报, 2018, 47(4): 0423002. ZHU Shuai-yu, XIE Sheng, CHEN Yu. Design of Triple-mesa InGaAs/InP Avalanche Photodiode with Low Edge Electric Field[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(4): 0423002.