三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计

朱帅宇; 谢生; 陈宇

doi:doi:10.3788/gzxb20184704.0423002

光子学报, 2018, 47 (4): 0423002, 网络出版: 2018-03-15

三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计

Design of Triple-mesa InGaAs/InP Avalanche Photodiode with Low Edge Electric Field

朱帅宇 ^1,*谢生 ¹陈宇 ²

作者单位

¹ 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室, 天津, 300072

² 中国科学院半导体研究所, 北京 100084

补充材料

朱帅宇, 谢生, 陈宇. 三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计[J]. 光子学报, 2018, 47(4): 0423002. ZHU Shuai-yu, XIE Sheng, CHEN Yu. Design of Triple-mesa InGaAs/InP Avalanche Photodiode with Low Edge Electric Field[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(4): 0423002.