光子学报, 2018, 47 (12): 1231003, 网络出版: 2019-01-10
掺Ge氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究
Preparation Process and Stress Study of Ge-doped Silica Film Waveguide
基本信息
| DOI: | 10.3788/gzxb20184712.1231003 |
| 中图分类号: | O484.1 |
| 栏目: | |
| 项目基金: | 吉林省科技厅项目(No. 20180101223JC)和长春理工大学专项基金重点支持项目(No. 129954)资助 |
| 收稿日期: | 2018-06-19 |
| 修改稿日期: | 2018-09-29 |
| 网络出版日期: | 2019-01-10 |
| 通讯作者: | 孙庆雨 (644064136@qq.com) |
| 备注: | -- |
孙庆雨, 孙喆禹, 邢文超, 孙德贵. 掺Ge氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究[J]. 光子学报, 2018, 47(12): 1231003. SUN Qing-yu, SUN Zhe-yu, XING Wen-chao, SUN De-gui. Preparation Process and Stress Study of Ge-doped Silica Film Waveguide[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(12): 1231003.
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