发光学报, 2014, 35 (6): 727, 网络出版: 2014-06-10
AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响
Influence of AlN Buffer Layer on Properties of GaN Epitaxial Film Grown on Si Substrate
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20143506.0727 |
| 中图分类号: | O484.4 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61204011,61107026,61176126,61006084)、 国家杰出青年科学基金(60925017)、 北京市自然科学基金(4102003,4112006)、 北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目 |
| 收稿日期: | 2014-02-18 |
| 修改稿日期: | 2014-04-08 |
| 网络出版日期: | 2014-06-10 |
| 通讯作者: | 陈翔 (chenxiang0910@126.com) |
| 备注: | -- |
陈翔, 邢艳辉, 韩军, 霍文娟, 钟林健, 崔明, 范亚明, 张宝顺. AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响[J]. 发光学报, 2014, 35(6): 727. CHEN Xiang, XING Yan-hui, HAN Jun, HUO Wen-juan, ZHONG Lin-jian, CUI Ming, FAN Ya-ming, ZHANG Bao-shun. Influence of AlN Buffer Layer on Properties of GaN Epitaxial Film Grown on Si Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(6): 727.
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