AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

陈翔; 邢艳辉; 韩军; 霍文娟; 钟林健; 崔明; 范亚明; 张宝顺

doi:doi:10.3788/fgxb20143506.0727

发光学报, 2014, 35 (6): 727, 网络出版: 2014-06-10

AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

Influence of AlN Buffer Layer on Properties of GaN Epitaxial Film Grown on Si Substrate

陈翔 ^1,*邢艳辉 ¹韩军 ¹霍文娟 ¹钟林健 ¹崔明 ¹范亚明 ²张宝顺 ²

作者单位

¹ 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京100124

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏苏州215123

补充材料

陈翔, 邢艳辉, 韩军, 霍文娟, 钟林健, 崔明, 范亚明, 张宝顺. AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响[J]. 发光学报, 2014, 35(6): 727. CHEN Xiang, XING Yan-hui, HAN Jun, HUO Wen-juan, ZHONG Lin-jian, CUI Ming, FAN Ya-ming, ZHANG Bao-shun. Influence of AlN Buffer Layer on Properties of GaN Epitaxial Film Grown on Si Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(6): 727.