激光与光电子学进展, 2015, 52 (11): 111407, 网络出版: 2015-10-15   

1015 nm半导体激光放大系统的实验研究 下载: 578次

Design and Characteristics of Diode Laser Amplifier System at 1015 nm
作者单位
1 华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室, 上海 200062
2 华东师范大学信息科学与技术学院, 上海 200062
基本信息
DOI: 10.3788/lop52.111407
中图分类号: O432
栏目: 激光器与激光光学
项目基金: 国家自然科学基金(10974055)、国家973 计划(2006CB921604,2011CB921602)、上海市自然科学基金(14ZR1412000)
收稿日期: 2015-06-24
修改稿日期: 2015-06-28
网络出版日期: 2015-10-15
通讯作者: 陈琳 (chenlin897215@163.com)
备注: --

陈琳, 钟标, 夏勇, 郑公爵, 石艳玲, 印建平. 1015 nm半导体激光放大系统的实验研究[J]. 激光与光电子学进展, 2015, 52(11): 111407. Chen Lin, Zhong Biao, Xia Yong, Zheng Gongjue, Shi Yanling, Yin Jianping. Design and Characteristics of Diode Laser Amplifier System at 1015 nm[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2015, 52(11): 111407.

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