针对3 nm环栅场效应晶体管，提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先，在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后，在不同偏置条件下提取受偏置影响的本征模型参数。使用Sentaurus TCAD和Matlab对器件进行仿真并拟合得到相关参数，在ADS中验证等效电路模型。结果表明，在10 MHz~300 GHz频率范围内，TCAD仿真与等效电路仿真S参数的最大误差低于269%，证实了所建立模型及建模方法的准确性。该项研究成果对射频集成电路设计具有参考价值。

为了研究Yb3+: LuLiF4晶体在反Stokes荧光制冷过程中的热负载管理机制, 开展了在常压(1.0×105 Pa)和高真空(2.5×10-3 Pa)状态下的激光制冷实验。掺杂浓度为5 mol%的样品由两根光纤支撑, 被放置在真空状态不同的腔体内。利用波长1 020 nm, 功率3 W的激光激发样品。在常压下, 样品温度相对室温下降了ΔT≈12 K; 在高真空下, ΔT≈26 K。对于常压状态, 空气热对流负载约11.23 mW, 光纤热传导负载约0.03 mW, 腔体热辐射负载约4.8 mW。对于高真空状态, 空气热对流负载约0.03 mW, 光纤热传导负载约0.07 mW, 腔体热辐射负载约10.4 mW。实验结果表明, 当腔体压强由-105 Pa降至-10-3 Pa时, 空气热对流负载几乎忽略不计, 而腔体热辐射负载则成为作用在制冷样品上最主要的热负载。

报道了波长为1015 nm 的大功率单频半导体光放大器的设计与研制，实验研究了不同注入光功率和不同温度下，放大器输出光功率与注入电流的依赖关系。结果表明：当波长为1015 nm、功率约为30 mW 的种子光注入到半导体激光放大系统中，并把该放大器的注入电流增加到5 A 时，其输出的激光功率高达1600 mW，相应的放大倍数可达17.3 dB，且放大器输出功率随温度的降低而增大。此外，还观测了半导体光放大器输出功率的稳定性，发现该放大器可长时间保持稳定工作。因此，该1015 nm 激光放大系统可用于掺杂稀土离子晶体的激光冷却，四倍频后还可用于汞原子光钟的实验研究。