半导体光电, 2017, 38 (4): 536, 网络出版: 2017-08-30
肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析
Calculation Models and Feature Analysis of Schottky Barrier Reverse Tunneling Current
基本信息
DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.015 |
中图分类号: | TN304.2 |
栏目: | 材料、结构及工艺 |
项目基金: | 国家自然科学基金项目(51472123)、 江苏特聘教授基金项目、 江苏省自然科学基金项目(BK20131428) |
收稿日期: | 2017-02-06 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2017-08-30 |
通讯作者: | 雷勇 (leiyong@nuist.edu.cn) |
备注: | -- |
雷勇, 饶伟锋, 苏静, 杨翠红. 肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析[J]. 半导体光电, 2017, 38(4): 536. LEI Yong, RAO Weifeng, SU Jing, YANG Cuihong. Calculation Models and Feature Analysis of Schottky Barrier Reverse Tunneling Current[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(4): 536.