半导体光电, 2017, 38 (4): 536, 网络出版: 2017-08-30  

肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析

Calculation Models and Feature Analysis of Schottky Barrier Reverse Tunneling Current
作者单位
1 南京信息工程大学1. 物理与光电工程学院
2 2. 电磁功能材料研究所, 南京 210044
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.015
中图分类号: TN304.2
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 国家自然科学基金项目(51472123)、 江苏特聘教授基金项目、 江苏省自然科学基金项目(BK20131428)
收稿日期: 2017-02-06
修改稿日期: --
网络出版日期: 2017-08-30
通讯作者: 雷勇 (leiyong@nuist.edu.cn)
备注: --

雷勇, 饶伟锋, 苏静, 杨翠红. 肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析[J]. 半导体光电, 2017, 38(4): 536. LEI Yong, RAO Weifeng, SU Jing, YANG Cuihong. Calculation Models and Feature Analysis of Schottky Barrier Reverse Tunneling Current[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(4): 536.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!