发光学报, 2015, 36 (4): 466, 网络出版: 2015-04-14   

Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响

Influence of Substrate Miscut on Properties of GaN-based LED Films Grown on Si(111)
作者单位
1 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330047
2 南昌大学 材料科学与工程学院, 江西 南昌 330031
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20153604.0466
中图分类号: O482.31;O484.4
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 国家自然科学基金(11364034)、江西省科技支撑计划(20141BBE50035)资助项目
收稿日期: 2015-02-05
修改稿日期: 2015-03-01
网络出版日期: 2015-04-14
通讯作者: 武芹 (celerywq@163.com)
备注: --

武芹, 全知觉, 王立, 刘文, 张建立, 江风益. Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响[J]. 发光学报, 2015, 36(4): 466. WU Qin, QUAN Zhi-jue, WANG Li, LIU Wen, ZHANG Jian-li, JIANG Feng-yi. Influence of Substrate Miscut on Properties of GaN-based LED Films Grown on Si(111)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(4): 466.

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