发光学报, 2015, 36 (4): 466, 网络出版: 2015-04-14
Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响
Influence of Substrate Miscut on Properties of GaN-based LED Films Grown on Si(111)
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20153604.0466 |
中图分类号: | O482.31;O484.4 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家自然科学基金(11364034)、江西省科技支撑计划(20141BBE50035)资助项目 |
收稿日期: | 2015-02-05 |
修改稿日期: | 2015-03-01 |
网络出版日期: | 2015-04-14 |
通讯作者: | 武芹 (celerywq@163.com) |
备注: | -- |
武芹, 全知觉, 王立, 刘文, 张建立, 江风益. Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响[J]. 发光学报, 2015, 36(4): 466. WU Qin, QUAN Zhi-jue, WANG Li, LIU Wen, ZHANG Jian-li, JIANG Feng-yi. Influence of Substrate Miscut on Properties of GaN-based LED Films Grown on Si(111)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(4): 466.