发光学报, 2017, 38 (4): 477, 网络出版: 2017-05-03   

GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展

Progress on Structure Optimization of GaN Based Schottky Diode
作者单位
北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
Metrics
摘要访问:4323次
PDF 下载:11次
全文浏览:3次
总被查询:0次

吴月芳, 郭伟玲, 陈艳芳, 雷亮. GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展[J]. 发光学报, 2017, 38(4): 477. WU Yue-fang, GUO Wei-ling, CHEN Yan-fang, LEI Liang. Progress on Structure Optimization of GaN Based Schottky Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(4): 477.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!