电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2016, 37 (6): 711, 网络出版: 2016-09-12

电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

Dose Rate Effects of γ Irradiation on CCDs

武大猷 ^1,2,*文林 ¹汪朝敏 ³何承发 ¹郭旗 ¹李豫东 ¹曾俊哲 ^1,2汪波 ^1,2刘元 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆乌鲁木齐830011

² 中国科学院大学, 北京100049

³ 重庆光电技术研究所, 重庆400060

Metrics

摘要访问:4065次

PDF 下载:4次

全文浏览:4次

总被查询:0次

武大猷, 文林, 汪朝敏, 何承发, 郭旗, 李豫东, 曾俊哲, 汪波, 刘元. 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究[J]. 发光学报, 2016, 37(6): 711. WU Da-you, WEN Lin, WANG Chao-min, HE Cheng-fa, GUO Qi, LI Yu-dong, ZENG Jun-zhe, WANG Bo, LIU Yuan. Dose Rate Effects of γ Irradiation on CCDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(6): 711.

论文摘要 Full Text 图 & 表补充材料基本信息知识挖掘 Metrics PDF全文参考文献 & 引文

引用该论文： TXT | EndNote

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务，点击此处了解我们的隐私策略。如您需继续使用本网站，请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。

您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!

快速查询高级查询

最近搜索：

大家在搜：人工智能图像处理光子

热门搜索：机器视觉光通信光纤传感器