半导体光电, 2020, 41 (4): 517, 网络出版: 2020-08-18  

预电离效应对ArF准分子激光特性的影响分析

Effects of Preionization on Properties of ArF Excimer Laser
苏丹 1,2,3赵江山 1,2,3,*王倩 1,2,3
作者单位
1 中国科学院微电子研究所, 北京 100094
2 北京市准分子激光工程技术研究中心, 北京 100094
3 中国科学院大学, 北京 100049
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.04.013
中图分类号: TN248.2
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 国家科技重大专项项目(2013ZX02202).
收稿日期: 2020-01-02
修改稿日期: --
网络出版日期: 2020-08-18
通讯作者: 赵江山 (zhaojiangshan@aoe.ac.cn)
备注: --

苏丹, 赵江山, 王倩. 预电离效应对ArF准分子激光特性的影响分析[J]. 半导体光电, 2020, 41(4): 517. SU Dan, ZHAO Jiangshan, WANG Qian. Effects of Preionization on Properties of ArF Excimer Laser[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2020, 41(4): 517.

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