图 1. 不同材料的结构示意图及对应的态密度^[10]。(a)体材料;(b)量子阱;(c)量子线;(d)量子点

Fig. 1. Schematic of different materials and corresponding density of states^[10]. (a) Bulk material; (b) quantum well; (c) quantum wires; (d) quantum dots

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图 2. 刻蚀制备量子点结构的流程示意图^[11]。(a)下部量子阱结构; (b)沿<011>方向光刻、刻蚀;(c) HCl溶液刻蚀;(d)沿<011ˉ>方向光刻、刻蚀;(e)刻蚀和钻刻;(f)后续材料结构生长

Fig. 2. Schematic of etching process for preparing quantum dot structure^[11]. (a) Lower quantum well structure; (b) lithography and etching along the direction <011>; (c) HCl solution etching; (d) lithography and etching along the direction <011ˉ

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图 3. SK生长模式示意图

Fig. 3. Schematic of SK growth mode

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图 4. 未掺杂与Si掺杂量子点激光器功率-电流曲线对比^[26]

Fig. 4. Comparison of power-current curves between undoped and Si-doped quantum dot lasers^[26]

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图 5. 量子点的分立能级示意图^[32]

Fig. 5. Schematic of discrete energy levels of quantum dots^[32]

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图 6. 10 Gbit/s直接调制速率下的变温大信号眼图^[51]。(a) 25 ℃;(b) 50 ℃;(c) 75 ℃;(d) 85 ℃

Fig. 6. Eye map of variable-temperature large signal at 10 Gbit/s direct modulation rate^[51].(a) 25 ℃; (b) 50 ℃; (c) 75 ℃; (d) 85 ℃

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图 7. V型槽方式制备量子点激光器的结构示意图^[95]

Fig. 7. Structure diagram of quantum dot laser prepared by V-groove method^[95]

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图 8. GaAs/Si(001)衬底生长缓冲层结构的截面亮场透射电子显微镜图 ^[99]

Fig. 8. Cross-section bright-field transmission electron microscopy image of growth buffer layer structure of GaAs/Si(001) substrate^[99]

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图 9. 位错密度与III-V/Si异质界面距离的关系图^[99]

Fig. 9. Relationship between dislocation density and distance of III-V/Si heterointerface^[99]

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