半导体光电, 2020, 41 (4): 527, 网络出版: 2020-08-18
氧化镓生长模拟中的流场与反应参数优化研究
Optimization of Flow Field and Reaction Parameters in the Growth Simulation of Gallium Oxide
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2020.04.015 |
| 中图分类号: | TN304.054;TN304.23 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(61574079)；南京邮电大学校级科研基金项目(NY217108). |
| 收稿日期: | 2020-01-14 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2020-08-18 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
戴必胜, 陈琳, 陶志阔, 修向前. 氧化镓生长模拟中的流场与反应参数优化研究[J]. 半导体光电, 2020, 41(4): 527. DAI Bisheng, CHEN Lin, TAO Zhikuo, XIU Xiangqian. Optimization of Flow Field and Reaction Parameters in the Growth Simulation of Gallium Oxide[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2020, 41(4): 527.
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