中国激光, 2018, 45 (8): 0801006, 网络出版: 2018-08-11 复制并引用该论文  本文已被引 2 次  被引通知

图 & 表

图 1. 双非对称结构的波导结构(黑线)以及对应的模场分布(蓝线)

Fig. 1. Double-asymmetric waveguide (black line) and simulated intensity distribution (blue line)

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图 2. 远场计算结果

Fig. 2. Calculation results of far-field

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图 3. (a)工作电流、(b)电光转换效率与腔长、AR膜反射率的关系

Fig. 3. Relationship between (a) operation current or (b) WPE and cavity length and AR-reflectivity

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图 4. 以持续电流方式测得的功率-电流和效率-电流特性曲线。(a) 20 ℃;(b) 40 ℃

Fig. 4. Power-current curves and efficiency-current curves obtained by CW. (a) 20 ℃; (b) 40 ℃

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图 5. 慢轴发散角(95%功率)随电流的变化

Fig. 5. Variation of slow-axis divergence angle (95% power) with CW current

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图 6. 9个器件在40 ℃和15 A连续电流下老化的功率-时间曲线

Fig. 6. Power-time curves of nine devices in aging-test under the conditions of 40 ℃ and continuous current of 15 A

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图 7. (a) 30 ℃下COS老化前和老化4740 h后的功率-电流曲线;(b) COS老化前和老化4740 h后在20 A QCW电流下的光谱曲线

Fig. 7. (a) Power-QCW current curves of COS before and after 4740 hour aging-test at 30 ℃; (b) optical spectral curves of COS before and after 4740 hour aging-test at 20 A QCW current)

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表 1976 nm外延主要材料的结构

Table1. Structure of 976 nm epitaxial material

Materialcomposition Thickness /μm Description Doping type GaAs 0.200 Ohmic contact P++ Al0.31GaAs 1.200 Upper cladding P Al0.21GaAs 0.500 Upper waveguide I In0.16GaAs 0.007 Quantum well I Al0.21GaAs 0.700 Lower waveguide I Al0.21GaAs 0.400 Lower waveguide N Al0.27GaAs 1.000 Lower cladding N

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胡海, 仇伯仓, 何晋国, 汪卫敏, 赵楚中, 刘文斌, 邝朗醒, 白雪. 高性能976 nm宽条半导体激光芯片[J]. 中国激光, 2018, 45(8): 0801006. Hu Hai, Qiu Bocang, He Jinguo, Wang Weimin, Zhao Chuzhong, Liu Wenbin, Kuang Langxing, Bai Xue. 976 nm Wide-Stripe Semiconductor Laser with High-Performance[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(8): 0801006.