发光学报, 2013, 34 (7): 911, 网络出版: 2013-07-16
InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系
Relationship Between InxGa1-xN Quantum-well Blue LEDs Photoelectric Properties and Quantum Well Bound State Energy Level
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20133407.0911 |
| 中图分类号: | O484.4 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(60878063)、 广东省自然科学基金(10251063101000001,8251063101000006)资助项目 |
| 收稿日期: | 2013-04-25 |
| 修改稿日期: | 2013-05-24 |
| 网络出版日期: | 2013-07-16 |
| 通讯作者: | 李国斌 (lgb198611@126.com) |
| 备注: | -- |
李国斌, 陈常水, 刘颂豪. InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系[J]. 发光学报, 2013, 34(7): 911. LI Guo-bin, CHEN Chang-shui, LIU Song-hao. Relationship Between InxGa1-xN Quantum-well Blue LEDs Photoelectric Properties and Quantum Well Bound State Energy Level[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(7): 911.
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