发光学报, 2013, 34 (7): 911, 网络出版: 2013-07-16  

InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系

Relationship Between InxGa1-xN Quantum-well Blue LEDs Photoelectric Properties and Quantum Well Bound State Energy Level
作者单位
华南师范大学 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 激光生命科学教育部重点实验室, 广东 广州510631
图 & 表

李国斌, 陈常水, 刘颂豪. InxGa1-xN量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系[J]. 发光学报, 2013, 34(7): 911. LI Guo-bin, CHEN Chang-shui, LIU Song-hao. Relationship Between InxGa1-xN Quantum-well Blue LEDs Photoelectric Properties and Quantum Well Bound State Energy Level[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(7): 911.

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