中国激光, 2014, 41 (6): 0617001, 网络出版: 2014-05-19
利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率
Enhanced Output Power of InGaN Superluminescent Diode Using Active Multi-Mode Interferometer
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl201441.0617001 |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 光电子学 |
| 项目基金: | 广东省战略新兴产业专项资金LED产业项目资助(2012A080302004)、广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目资助(2012A080301002) |
| 收稿日期: | 2013-10-08 |
| 修改稿日期: | 2013-12-25 |
| 网络出版日期: | 2014-05-19 |
| 通讯作者: | 臧志刚 (tzangzg@jnu.edu.cn) |
| 备注: | -- |
臧志刚, 余健辉, 张军, 陈哲. 利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率[J]. 中国激光, 2014, 41(6): 0617001. Zang Zhigang, Yu Jianhui, Zhang Jun, Chen Zhe. Enhanced Output Power of InGaN Superluminescent Diode Using Active Multi-Mode Interferometer[J]. Chinese Journal of Lasers, 2014, 41(6): 0617001.
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