利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率

臧志刚; 余健辉; 张军; 陈哲

doi:doi:10.3788/cjl201441.0617001

中国激光, 2014, 41 (6): 0617001, 网络出版: 2014-05-19

利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率

Enhanced Output Power of InGaN Superluminescent Diode Using Active Multi-Mode Interferometer

臧志刚 ^1,2,3,*余健辉 ^1,2张军 ^1,2,3陈哲 ^1,2,3

作者单位

¹ 暨南大学光电信息与传感技术广东省普通高校重点实验室, 广东广州 510632

² 暨南大学光电工程系, 广东广州 510632

³ 广东省半导体照明产业联合创新中心, 广东佛山 510033

图 & 表

臧志刚, 余健辉, 张军, 陈哲. 利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率[J]. 中国激光, 2014, 41(6): 0617001. Zang Zhigang, Yu Jianhui, Zhang Jun, Chen Zhe. Enhanced Output Power of InGaN Superluminescent Diode Using Active Multi-Mode Interferometer[J]. Chinese Journal of Lasers, 2014, 41(6): 0617001.