Frontiers of Optoelectronics, 2018, 11 (4): 400–406, 网络出版: 2019-01-10  

Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes

Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes
作者单位
1 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
2 Sichuan Branch, China Unicom Network Communications Co., Ltd, Chengdu 610041, China
3 Wuhan Aroptics-Tech Co., LTD, Wuhan 430074, China
补充材料

, , , , , , , , , , , , . Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes[J]. Frontiers of Optoelectronics, 2018, 11(4): 400–406. Yanli ZHAO, Junjie TU, Jingjing XIANG, Ke WEN, Jing XU, Yang TIAN, Qiang LI, Yuchong TIAN, Runqi WANG, Wenyang LI, Mingwei GUO, Zhifeng LIU, Qi TANG. Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes[J]. Frontiers of Optoelectronics, 2018, 11(4): 400–406.

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