红外与激光工程, 2018, 47 (10): 1017002, 网络出版: 2018-11-25
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
Total ionizing dose radiation effects in 4T-CMOS image sensors at different biased conditions
基本信息
| DOI: | 10.3788/irla201847.1017002 |
| 中图分类号: | TN386.5 |
| 栏目: | 光电测量 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(11675259)、 中国科学院青年创新促进会和新疆维吾尔自治区青年科技创新人才培养工程(qn2015yx035) |
| 收稿日期: | 2018-05-05 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2018-11-25 |
| 通讯作者: | 马林东 (malindong14@mails.ucas.ac.cn) |
| 备注: | -- |
马林东, 李豫东, 郭旗, 文林, 周东, 冯婕. 不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(10): 1017002. Ma Lindong, Li Yudong, Guo Qi, Wen Lin, Zhou Dong, Feng Jie. Total ionizing dose radiation effects in 4T-CMOS image sensors at different biased conditions[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(10): 1017002.
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