不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 | 红外与激光工程 -- 中国光学期刊网

红外与激光工程, 2018, 47 (10): 1017002, 网络出版: 2018-11-25

不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应

Total ionizing dose radiation effects in 4T-CMOS image sensors at different biased conditions

马林东 ^1,2,3,*李豫东 ^1,2郭旗 ^1,2文林 ^1,2周东 ^1,2冯婕 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆乌鲁木齐 830011

² 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆乌鲁木齐 830011

³ 中国科学院大学, 北京 100049

CMOS有源像素传感器总剂量效应暗电流 CMOS active pixel sensor total ionizing dose radiation effect dark current

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