光电工程, 2006, 33 (6): 37, 网络出版: 2007-11-14
不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性
Characters of ZrO2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure
引用该论文
张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性[J]. 光电工程, 2006, 33(6): 37.
张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. Characters of ZrO2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(6): 37.
张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性[J]. 光电工程, 2006, 33(6): 37. 张东平, 邵淑英, 黄建兵, 占美琼, 范正修, 邵建达. Characters of ZrO2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(6): 37.
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